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新型紫外光源研制成功

江风益 , 熊传兵 , 彭学新 , 王立 , 李述体 , 姚冬敏 , 莫春兰 , 李鹏 , 周毛兴 , 周力 , 吴蔚登 , 刘和初

材料导报

关键词:

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

李述体 , 莫春兰 , 李鹏 , 王立 , 熊传兵 , 彭学新 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.

关键词: MOCVD , GaN:Si , 光致发光