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影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

郭钰 , 彭同华 , 刘春俊 , 袁文霞 , 蔡振立 , 张贺 , 王波

人工晶体学报

选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量.实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果.保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变.在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,Si...

关键词: 碳化硅 , 化学机械抛光 , pH值 , 压力 , 双氧水