王宏志
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高濂
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陈红光
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归林华
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郭景坤
无机材料学报
本文从烧结温度、基体晶粒大小、断裂方式、SiC在基体中的分布等几个方面研究了纳米SiC颗粒的加入对Al2O3微观结构的影响．用非均相沉淀工艺制备的纳米SiC-Al2O3复合粉体，具有Al2O3颗粒包裹纳米SiC的特点，提高了烧结温度，明显使Al2O3晶粒变小，并且抑制晶粒异常长大，试样的断裂方式从以沿晶断裂为主转变到以穿晶断裂为主．SiC在Al2O3中分布均匀，大部分位于晶粒内，少部分位于晶界上．这种微观结构有利于力学性能的提高．
关键词:
氧化铝
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null
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null
,
null
李蔚
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高濂
,
归林华
,
郭景坤
无机材料学报
分析了无压烧结、热压烧结及SPS烧结过程中晶粒生长的行为及表现活化能．结果表明：在1100～1300℃之间，纳米Y-TZP材料在以上几种烧结条件下的晶粒生长行为不同．无压烧结时晶粒生长较慢，而热压烧结和SPS烧结时晶粒生长较快．对晶粒生长的活化能分析可在一定程度上解释以上现象．分析结果显示：无压烧结的表观活化能为281kJ／mol与纳米Y－TZP材料的晶界扩散活化能相近；热压烧结过程中，由于外压对扩散的促进作用，活化能比无压烧结时略有降低；在SPS烧结过程中，由于外加的脉冲电流能使晶粒表面大大活化，所以活化能与无压烧结相比大幅度下降．
关键词:
纳米Y－TZP材料
,
sintering
,
grain growth
王宏志
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高濂
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归林华
,
郭景坤
无机材料学报
本文研究了非均相沉淀法制备Al2O3－ZrO2（3Y）－SiC复合粉体的工艺过程，认为粉体的理烧温度是至关重要的，热压烧结得到了致密的Al2O3－ZrO2（3Y）－SiC纳米复合材料，ZrO2的加入对烧结温度的影响不大．通过TEM观察，SiC颗粒均匀分散于材料中，大的ZrO2颗粒位于Al2O3晶粒间，小的圆形ZrO2颗粒位于Al2O3晶粒内，一部分Al2O3晶粒呈非等轴状．80Wt％Al2O3－15wt％ZrO2－5Wt％SiC纳米复合材料的抗弯强度可达555MPa，韧性为3.8MPa．m1／2.
关键词:
纳米复合材料
,
null
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null
,
null
曾文明
,
陈念贻
,
归林华
,
王浚
,
高濂
,
郭景坤
无机材料学报
本文以廉价的分析纯AlCl3·6H2O为原料，采用溶胶-冷冻干燥法制备出γ－AlOOH（Boehmite）粉料．经500和1100℃下煅烧，分别制得平均粒径6和30um的γ-和α－Al2O3纳米粉．同时，作出了Al－H2O系25和90℃时的电位～pH图，并采用Temkin－Schwarzman方法和回归分析手段，对Al（OH）3热分解过程进行了热力学分析·Al－H2O系的电位～pH图和Al（OH）3热分解的热力学分析，为γ－AlOOH溶胶的形成和γ－AlOOH粉料的热处理提供了一定的指导作用．
关键词:
无机盐
,
null
,
null
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null
张景贤
,
江东亮
,
谭寿洪
,
归林华
,
阮美玲
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z1.055
本文采用国产的α-氮化硅粉(d50=1μm),测定了粉体的zeta电位.根据粉体的表面性质,选用聚丙烯酸钠作为分散剂,分析了pH值、分散剂对氮化硅粉体zeta电位以及浆料粘度的影响,确定了良好分散的Si3N4浆料的pH值和分散剂含量分别为10和1wt%.选用PVA为粘结剂,PEG为塑性剂,二者在浆料中的含量分别为5wt%和2.5wt%.最后,制备了氮化硅水基流延膜,并用SEM对得到的流延膜进行了表征.
关键词:
zeta
,
电位
,
分散剂
,
浆料
,
流延膜
王宏志
,
高濂
,
归林华
,
郭景坤
无机材料学报
研究了沉淀法制备Al2O3－SiC纳米复合陶瓷的工艺过程，利用Al2O3从，γ相到α相的蠕虫状生长过程，使大部分纳米SiC颗粒位于Al2O3晶粒内．用沉淀法制得的、含有5vol％SiC的Al2O3－SiC纳米复合陶瓷，其强度为467MPa，韧性为4．7MPa·m1/2，与一般的Al2O3陶瓷相比有较大的提高，显示了沉淀法制备Al2O3－SiC纳米复合陶瓷的优点．
关键词:
沉淀法
,
nanocomposites
,
alumina
李蔚
,
高濂
,
归林华
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.028
分析了无压烧结、热压烧结及SPS烧结过程中晶粒生长的行为及表观活化能.结果表明:在11001300C之间,纳米Y-TZP材料在以上几种烧结条件下的晶粒生长行为不同.无压烧结时晶粒生长较慢,而热压烧结和SPS烧结时晶粒生长较快.对晶粒生长的活化能分析可在一定程度上解释以上现象.分析结果显示:无压烧结的表观活化能为281kJ/mol.与纳米Y-TZP材料的晶界扩散活化能相近;热压烧结过程中,由于外压对扩散的促进作用,活化能比无压烧结时略有降低;在SPS烧结过程中,由于外加的脉冲电流能使晶粒表面大大活化,所以活化能与无压烧结相比大幅度下降.
关键词:
纳米Y-TZP材料
,
烧结
,
晶粒生长
