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纳米银粉的微结构研究

魏智强 , 夏天东 , 姜金龙 , 沈婕 , 徐仰涛 , 张鹏林 , 闫鹏勋

稀有金属材料与工程

采用阳极弧放电等离子体法成功制备了银纳米粉体,并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对样品的形貌、晶体结构、粒度及其分布进行性能表征.利用静态表面吸附仪测试样品对N2的吸附-脱附等温线,依据BJH理论模型分析样品的孔结构;利用BET吸附公式计算出样品的比表面积.结果表明:所制备的银纳米粉末的晶体结构与相应的块体材料基本相同,为fcc结构,其粒度主要分布在10~50 nm,平均粒度为26 nm,比表面积为23.81 m2/g,呈规则的类球形分布.

关键词: 银纳米粉 , 形貌 , 粒度 , 比表面积 , 孔结构

热剂反应自蔓延高温合成材料研究进展

张鹏林 , 夏天东 , 尹燕 , 赵文军 , 刘天佐

材料导报

热剂反应是自蔓延高温合成反应的一个分支,它采用成本低廉的天然氧化物作原料,比元素直接合成材料具有更显著的经济效益.通过对工业和实验中最具代表性的两种热剂反应--铝热剂与镁热剂反应研究及应用的介绍,阐述了热剂反应的发展状况,并指出了热剂反应研究的不足和有待进一步研究的若干问题.

关键词: 自蔓延 , 热剂反应 , 铝热剂 , 镁热剂 , SHS离心法

热压工艺对铁硅间化合物相转变的影响

高君玲 , 陈秀娟 , 赵文军 , 张鹏林 , 余淑荣

材料热处理学报

采用燃烧合成-热压工艺制备热电材料β-FeSi2,研究了热压温度和热压压力对铁硅间化合物相变的规律.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了合成的铁硅间化合物的相组成及其微观结构形貌.结果表明:当铁硅原子比Fe∶ Si为1∶3,添加0.50 at%的Cu时,燃烧合成的产物主要为α-Fe2Si5和Si.热压温度为760℃时α-Fe2Si5完全转变为β-FeSi2,且压力的升高有助于β-FeSi2生成和产物致密度的提高.α-Fe2Si5分解发生共析反应时,部分Si固溶于β-FeSi2内形成了β-FeSi2合金.另一部分Si微粒粘附于β-FeSi2颗粒上,Si在β相的弥散分布可提高热电优值.

关键词: β-FeSi2 , 热压 , 温度 , 相转变 , 微观结构

锰、铜掺杂β-FeSi2的自蔓延合成

王永杰 , 陈秀娟 , 张鹏林 , 赵文军 , 余淑荣

材料研究学报

采用自蔓延高温合成-热处理工艺制备热电材料-FeSi2,用x射线衍射仪和扫描电镜分析合成铁硅间化合物的相组成和微观结构形貌,研究了添加Mn、Cu元素对合成-FeSi2的影响.结果表明:只有经过热处理才能使α-Fe2Si5向β-FeSi2发生转变;添加适量的Mn、Cu可提高热处理产物中β相的产率,但是单独掺杂Mn或Cu并不能消除α相;同时掺入1.0%Mn和0.6%Cu时,β相峰值达到最高,α-Fe2Si5完全转变为β-FeSi2;热处理可在很大程度上细化自蔓延高温合成的晶粒.

关键词: 材料合成与加工工艺 , 锰、铜掺杂 , 自蔓延高温合成 , β-FeSi2

Triton X-100辅助溶剂热法合成锂电池负极材料花型SnS2及其电化学性能

张娟 , 陈秀娟 , 张鹏林

材料研究学报 doi:10.11901/1005.3093.2015.406

采用表面活性剂Triton X-100辅助溶剂热法合成花型纳米SnS2,研究了表面活性剂添加量(0-2 mL)对样品的成分、形貌及电化学性能的影响.X射线衍射光谱(XRD)和能谱(EDS)的测试结果表明:合成的材料为单相SnS2,具有层状六方CdI2型晶体结构;扫描电镜(SEM)观察结果表明,Triton X-100在控制花型SnS2形貌的过程中起了决定性作用,当Triton X-100的添加量为0.5 mL时样品的结晶度最好,花型结构饱满,形貌最佳;电化学性能测试结果表明:Triton X-100添加量为0.5 mL时,在0.01-1.2V电压范围及0.15C倍率下花型纳米SnS2的首次放电比容量可达1598 mAh·g-1,首次可逆比容量为656mAh·g-1循环50次后可逆比容量为572 mAh·g-1容量保持率达到87.2%.

关键词: 材料合成与加工工艺 , Triton X-100 , 溶剂热法 , 花型纳米SnS2 , 电化学性能

Co掺杂对自蔓延-热处理制备β-FeSi2的影响

马彦红 , 陈秀娟 , 张鹏林

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.030

采用自蔓延-热处理工艺制备Co掺杂热电材料β-FeSi2,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析Co含量对自蔓延高温合成产物及其热处理后的相组成及微观组织的影响,并测试了产物的电阻率.结果表明,掺杂Co对自蔓延高温合成球状共晶产物的相组成没有影响;对合成产物进一步热处理后,随着Co掺量的增加,样品中β-FeSi2的衍射峰强度逐渐增强,但当Co添加量为0.08%时,有CoSi2生成;对比掺杂与未掺杂Co试样的电阻率,发现前者电阻率有显著的降低,随着Co掺量的增加,在相同温度下,样品的电阻率先降低后升高,且Co添加量为0.05%时,样品纯度最高,电阻率最低.

关键词: 自蔓延高温合成 , 热处理 , β-FeSi2 , Co掺杂

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