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GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

田彦宝 , 吉元 , 王俊忠 , 张隐奇 , 关宝璐 , 郭霞 , 沈光地

功能材料

采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.

关键词: 电子背散射衍射(EBSD) , 微区应力 , GaAs-AlGaAs