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表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源

罗俊一 , 沈益军 , 李刚 , 刘培东 , 张锦心 , 包宗明 , 黄宜平

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.018

铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污,表面光电压(SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。

关键词: 表面光电压法 , 铁杂质 , 抛光硅片

硅片塑性形变与位错

谢书银 , 袁鹏 , 万关良 , 李励本 , 张锦心

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.03.012

通过1200℃、1.5 h急冷热处理实验, 研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化. 实验结果表明, 硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高, 均使塑性形变更加严重. 位错密度为0.4~2×103 cm-2的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的3倍多, 1200℃急冷产生的形变量是770℃急冷的4倍. 无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错,且急冷温度越高, 产生的位错越多. 热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构.

关键词: 硅片 , 塑性形变 , 位错 , 热处理

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