孟令启
,
王海龙
,
徐如松
,
张银霞
钢铁研究学报
基于Matlab神经网络工具箱，采用改进的径向基函数(RBF)网络优化计算4200中厚板轧机的轧制温度。通过径向基层散布常数的人工调整以及神经元的自适应调整，提高了收敛速度，确定了最佳的网络结构形式。网络预测结果与在4200中厚板轧机上实测的轧件温度进行了对比，预测精度很高，表明了该网络模型的优越性。该模型可为以温度参数为主要控制对象实行自动化生产的4200轧机提供可靠的参数，也可为人工神经网络在其它自动控制方面的应用提供参考。
关键词:
中厚板轧机;温度;RBF网络
孟令启
,
王海龙
,
徐如松
,
张银霞
钢铁研究学报
基于Matlab神经网络工具箱,采用改进的径向基函数(RBF)网络优化计算4200中厚板轧机的轧制温度.通过径向基层散布常数的人工调整以及神经元的自适应调整,提高了收敛速度,确定了最佳的网络结构形式.网络预测结果与在4200中厚板轧机上实测的轧件温度进行了对比,预测精度很高,表明了该网络模型的优越性.该模型可为以温度参数为主要控制对象实行自动化生产的4200轧机提供可靠的参数,也可为人工神经网络在其它自动控制方面的应用提供参考.
关键词:
中厚板轧机
,
温度
,
RBF网络
张银霞
,
杨乐乐
,
郜伟
,
苏建修
人工晶体学报
本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001) Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型.结果表明,采用腐蚀液配方为KOH:K2CO3 =20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3min时亚表面损伤观测效果较好.在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14 μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6 μn,亚表面微裂纹构型有垂线状、斜线状、钩状、叉状、树枝状、人字状以及横线状.在相同的加工条件下,SiC晶片的(0001) Si面和(0001)C面的损伤深度基本相同.
关键词:
SiC晶片
,
截面显微法
,
亚表面损伤
,
固结磨料研磨
张银霞
,
李大磊
,
郜伟
,
康仁科
人工晶体学报
单晶硅片超精密加工表面层损伤较小,检测评价比较困难.为了确定合适的检测技术,对多种硬脆材料表面层质量检测技术进行了系统的试验研究.结果表明,硅片加工表面宏/ 微观形貌可采用各种显微镜及3D表面轮廓仪等进行检测,表面损伤分布可采用择优腐蚀法和分步蚀刻法检测;粗加工和半精加工硅片的损伤深度宜采用角度抛光法检测,而精加工硅片的损伤深度较小,宜采用截面Raman光谱分析和恒定腐蚀速率法检测;损伤层的微裂纹、位错、非晶及多晶相变等微观结构可采用分步蚀刻法、平视和剖视TEM分析法及显微Raman光谱仪检测;表面层宏观残余应力分布可用显微Raman光谱仪检测,其微观应变可采用高分辨X射线衍射仪的双品摇摆曲线的半高宽值来衡量.综合以上检测技术可以对硅片加工表面层损伤进行系统的评价.
关键词:
硅片
,
加工损伤
,
检测技术
王栋
,
张银霞
,
郜伟
,
杨乐乐
,
苏建修
人工晶体学报
SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难.文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律.结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度.固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0 μm增大到4.7 μm.随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4.1 μm增大到4.9 μm.在整个晶片上,损伤深度由中心向边缘沿径向逐渐增大,增大幅度约为0.6～1.0 μm.
关键词:
SiC晶片
,
研磨加工
,
损伤深度
,
固结磨料
