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以科研促进《薄膜材料技术与物理》专业课程的教学改革

叶志镇 , 张银珠 , 黄靖云 , 汪雷

材料科学与工程学报

探索了科学研究对<薄膜材料技术与物理>新技术专业课程教学的深化与拓展,强调理论与科学实验相结合,提倡学生进行研究式学习,以期加强对学生综合能力、创新能力的培养,取得更好的教学效果.

关键词: 科研 , 薄膜材料技术与物理 , 教学改革

氧分压对直流磁控溅射制备 ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

马全宝 , 叶志镇 , 何海平 , 朱丽萍 , 张银珠 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01113

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜, 研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响. X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构. ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小, 随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小, 在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小, 晶粒尺寸最大. 薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大, 沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^-4Ω·cm. 此外, 所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

关键词: ZnO:Ga , transparent conductive oxide film , magnetron sputtering , oxygen partial pressure , electrical and optical properties

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

叶志镇 , 张银珠 , 徐伟中 , 吕建国

无机材料学报

ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧V_o和间隙锌Zn_i),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

关键词: ZnO薄膜 , p-type ZnO , property

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

叶志镇 , 张银珠 , 徐伟中 , 吕建国

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.002

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

关键词: ZnO薄膜 , p型掺杂 , 特性

氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

马全宝 , 叶志镇 , 何海平 , 朱丽萍 , 张银珠 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.019

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

关键词: ZnO:Ga , 透明导电氧化物薄膜 , 磁控溅射 , 氧分压 , 光电特性

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