陈亚琼
,
张金凤
,
万磊
,
胡文彬
,
刘磊
,
钟澄
,
邓意达
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(17)60041-4
为了研究镍磷纳米颗粒(Ni?P)的晶化对其催化析氢性能的影响,利用自催化还原反应及热处理工艺制备非晶Ni?P纳米颗粒及晶态Ni12P5.通过对样品进行电催化析氢性能分析,发现晶化的Ni12P5与晶化前的Ni?P相比,其催化析氢性能有了极大的提升.X射线衍射、透射电子显微镜及X射线光电子能谱分析结果表明,Ni12P5中形成了Ni?P键,使其中的Ni、P分别带有微弱的正、负电荷,[NiFe]氢化酶及其同系物的这种性质类似,会减少析氢过程中氢气脱离的能量消耗,Ni12P5的高效催化析氢性能可能与此有关.
关键词:
析氢反应
,
镍磷纳米颗粒
,
Ni12P5
,
催化
,
结晶
张金凤
,
刘慧丛
,
李卫平
,
朱立群
腐蚀与防护
针对电子器件在服役过程中的环氧塑封料老化失效问题,探讨了60℃下,环氧塑封料分别在干燥、湿热(95%和98%相对湿度)条件下的老化行为,并试验对比了这两种条件下环氧塑封料的质量、硬度、力学性能和结构随老化时间的变化规律.结果表明,干燥和不同湿热条件导致了环氧塑封料的老化,其内部结构变化又影响到环氧塑封料的相对硬度值、失重率和弯曲强度.随老化时间增长,在98%相对湿度下,环氧塑封料的相对硬度值由5.62增加到12.01;在干燥条件下的失重率由0.008%增加至0.172%,而在湿热环境下的失重率则变化不大;环氧塑封料的弯曲强度在干燥环境下呈线性增加的趋势,而在湿热环境下呈现出先减后增的变化规律.
关键词:
环氧塑封料
,
湿热
,
老化
,
电子器件
高飞
,
赵麦群
,
郭敬
,
张金凤
腐蚀与防护
以电解锌粉（锌含量约93％）为原料，蒸馏水为研磨介质，采用高能振动球磨法研究片状锌粉制备，并通过添加缓蚀剂，考察缓蚀剂种类及其复配对制备片状锌粉过程中的缓蚀效果。结果表明，添加苯并三唑（BTA）、聚乙二醇400（PEG-400）、Na2SiO3均可延缓锌粉在球磨过程中的腐蚀。其中BTA（或PEG-400）与Na2SiO3复配的缓蚀效果要优于单一组分缓蚀剂。最佳缓蚀剂组分为0．5％BTA与0．15％NazSiO3复配。球磨过程中片状锌粉有少量消耗，粒度逐渐减小，球磨1h后片状锌粉活性锌含量和平均粒径可达到达克罗涂层使用要求。
关键词:
水介质球磨
,
片状锌粉
,
缓蚀剂
高志远
,
郝跃
,
张进城
,
张金凤
,
倪金玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.003
实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素.使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系.腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法.
关键词:
位错密度
,
GaN
,
腐蚀坑密度
,
腐蚀机制
高志远
,
段焕涛
,
郝跃
,
李培成
,
张金凤
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.019
研究了用MOCVD设备在高温和低V/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错.GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
缺陷
,
材料表征
,
表面坑
汪健生
,
张金凤
,
孙健
工程热物理学报
在矩形槽道内布置了不同高度的小尺度涡流发生器,采用湍流模型对流体在其中的流动与传热特性进行了数值模拟,并对流体在槽道中的传热和流动特性进行了对比研究.分析了小尺度涡流发生器诱导涡的特性及其对湍流相干结构的影响与作用,讨论了湍流相干结构对温度场的作用机理,解释了涡流发生器强化换热的机理.
关键词:
小尺度涡流发生器
,
强化传热
,
流体流动
,
温度场
高志远
,
郝跃
,
张金凤
材料导报
通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法.
关键词:
GaN
,
缺陷结构
,
表面形貌
,
生长机理
张金凤
,
王海龙
,
龚谦
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.05.019
在有效质量近似下采用变分法计算了Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应.计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据.
关键词:
光电子学
,
结合能
,
变分法
,
激子
,
Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱
