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4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进

王冲 , 张进城 , 郝跃 , 杨燕

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.019

采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.

关键词: 高电子迁移率晶体管 , 台面隔离 , 泄漏电流

KOH热湿腐蚀法准确估算GaN的位错密度

高志远 , 郝跃 , 张进城 , 张金凤 , 倪金玉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.003

实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素.使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系.腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法.

关键词: 位错密度 , GaN , 腐蚀坑密度 , 腐蚀机制

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