赵杰
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胡礼中
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王兆阳
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李银丽
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王志俊
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张贺秋
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赵宇
功能材料
用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.
关键词:
ZnO薄膜
,
反射式高能电子衍射
,
X射线衍射
,
光致发光
王彬
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赵子文
,
邱宇
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马金雪
,
张贺秋
,
胡礼中
人工晶体学报
利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.
关键词:
ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
结晶质量
,
退火处理
刘欣
,
胡礼中
,
张贺秋
,
邱宇
,
赵宇
,
骆英民
人工晶体学报
利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景.
关键词:
氧化锌
,
微米刺球
,
化学气相沉积
,
压电应力传感器
,
开关比
张贺秋
,
刘俊林
,
金叶
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.06.007
利用水溶液法制备 ZnO 纳米线,使用真空热蒸发方法用Ag对ZnO 纳米线进行表面修饰。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X 射线衍射(XRD)仪、吸收谱仪分析它们的表面形貌、物相结构及光学性质,同时分析了其场发射性能。结果表明,随着 Ag 修饰量的增加,ZnO 纳米线表面上的 Ag 纳米粒子分布会由稀疏逐步到致密,最后 Ag 的纳米粒子几乎连在一起。测量吸收谱线发现修饰后的 ZnO 纳米线的吸收能力变强,但存在一个临界值,当修饰量超过临界值后,ZnO 纳米线的光吸收能力会减弱。对修饰后 ZnO纳米线的场发射性能进行初步测试,结果表明适当量的Ag修饰可以有效降低ZnO 纳米线的场发射开启电压。
关键词:
ZnO 纳米线
,
Ag纳米粒子
,
修饰
