张茂国
,
陈华
稀有金属材料与工程
用射频磁控溅射法在硅基底上成功制备出具有低电阻率的单一四方相二硅化钼薄膜,并通过X射线衍射仪、原子力显微镜及四探针电阻测试仪对退火前后的薄膜样品进行了结构和电学性能分析.结果表明:薄膜的电学特性强烈依赖于薄膜的微结构和相组成.沉积态薄膜主要为非晶结构.经高温退火后,薄膜的晶态结构发生显著的变化,晶化效果明显提高,薄膜方阻大幅降低.
关键词:
磁控溅射
,
二硅化钼
,
薄膜
,
电阻率
信绍广
,
徐可为
,
陈华
,
张茂国
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在硅基底上制备了硅钼薄膜,并研究了不同基体对薄膜相结构、表面形貌及电学性能的影响.XRD,AFM和SEM分析结果表明,硅和石英玻璃基体上沉积的硅钼薄膜为非晶,而氧化铝基体上沉积的硅钼薄膜为多晶.四探针电阻测试结果表明,随着退火温度的升高,硅基体和氧化铝基体上的硅钼薄膜其方阻逐渐降低,而石英玻璃基体上的硅钼薄膜其方阻却异常增大.
关键词:
基体
,
磁控溅射
,
MoSi2薄膜
,
方阻
