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0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

叶甜春 , 谢常青 , 李兵 , 陈大鹏 , 陈朝晖 , 赵玲莉 , 胥兴才 , 刘训春 , 张绵 , 赵静

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013

对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.

关键词: X射线光刻 , PHEMT , T型栅

毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC

王云生 , 张绵 , 赵静 , 白锡巍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.020

介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求.

关键词: 砷化镓 , 模拟开关 , 集成电路 , 相关器

半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

张绵 , 王云生 , 李岚 , 白锡巍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.017

在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.

关键词: 半绝缘GaAs , 低频振荡 , 噪声

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