许世超
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姚翠翠
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张纪梅
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代昭
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孙波
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郑帼
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韩青
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胡斐
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周鸿明
影像科学与光化学
在水相中合成高发光性能的CdTe量子点,研究以巯基乙酸(TGA)为稳定剂对CdTe表面进行修饰,制备在水中分散性良好的纳米晶,通过对CdTe量子点合成反应条件的摸索,掌握了其合成的反应规律.同时用紫外分光光度计、荧光分光光度计和透射电子显微镜对其进行了表征.结果表明,回流时间、n(Cd2+):n(HTe-)、反应物浓度、TGA用量、反应体系pH值,对纳米晶的光学性质具有显著影响.回流2 h制得的CdTe纳米粒子直径约为5 nm,其发射峰窄且对称,表现出良好稳定的光学性质.
关键词:
CdTe量子点
,
纳米晶
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表面修饰
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合成与表征
韩鑫
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张纪梅
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张坤
,
王曈尧
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.10.008
通过高压反应釜辅助水相法快速且低成本地合成了荧光量子产率高、粒径均匀、纯度高以及光稳定良好的掺杂Zn的CdTe量子点,不仅降低了CdTe量子点的毒性,而且减少了对环境的污染.并且通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外分光光度计和荧光分光光度计对产物进行了表征.同时通过单因素实验,在制备过程中对CdTe∶ Zn量子点的合成条件(包括pH、反应温度、反应物中Cd与Te,Cd与Zn的比例和配体巯基丙酸(MPA)含量等)进行优化得到了最佳的合成条件,即摩尔比Cd∶ Te∶ MPA=1.0∶0.5∶2.4,摩尔比Cd∶ Zn=1.0∶1.0,pH =11和T=120℃,通过优化CdTe∶ Zn量子点的合成条件不仅提高了纳米晶的质量,而且大幅度缩短了制备量子点的周期,且通过与CdTe量子点的比较得出掺杂Zn后量子点的生长速度和荧光强度均会提高.最后,采用外延生长法,在CdTe∶ Zn核的表面包裹一层有更宽带隙的半导体材料ZnS,消除了量子点表面的悬空键及表面缺陷,并且对CdTe∶ Zn/ZnS量子点进行了紫外和荧光表征,通过与CdTe∶ Zn量子点的比较得出ZnS的加入进一步提高了量子点的荧光强度和光稳定性.
关键词:
CdTe∶Zn量子点
,
CdTe∶Zn/ZnS量子点
,
水热合成法
吕睿
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王晓清
,
殷昊曦
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张纪梅
材料导报
分别介绍了锂钴氧化物、锂镍氧化物、锂锰氧化物、多元复合层状氧化物及磷酸铁锂的溶胶凝胶法合成.探讨了采用不同元素掺杂来提高比容量和循环稳定性的改性方法.提出了目前溶胶-凝胶法在锂离子电池正极材料制备中存在的问题,并展望了它未来的发展趋势.
关键词:
锂离子电池
,
溶胶-凝胶法
,
正极材料
王韦
,
张纪梅
,
郭宁
,
张军
,
崔永芳
,
刘桂芬
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.04.021
以巯基乙酸(HSCH2COOH)为稳定剂,在水溶液中合成半导体CdTe纳米晶.通过隧道扫描显微镜(STM)、紫外吸收光谱、荧光光谱等测试技术对所得的样品进行表征.结果表明,随着回流时间的增加,CdTe半导体纳米晶的粒径变大,其荧光发射峰和紫外吸收峰发生红移,荧光颜色从绿色逐渐向红色过渡.
关键词:
CdTe
,
纳米晶
,
光学性能