滕支刚
,
冷华星
,
张玲珑
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0219
通过测量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10 h后,低电压下斜率为2的区域消失.根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率.在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
退火时间
,
溶剂残留
