刘传珍
,
杨柏梁
,
张玉
,
李牧菊
,
吴渊
,
廖燕平
,
王大海
,
邱法斌
,
李轶华
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
关键词:
金属诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
退火
刘传珍
,
杨柏梁
,
李牧菊
,
吴渊
,
张玉
,
李轶华
,
邱法斌
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.
关键词:
p-si薄膜
,
激光退火
,
能量密度
张玉
,
荆海
,
付国柱
,
高博
,
廖燕平
,
李世伟
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008
采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si-Si键,保留与晶体硅匹配的Si-Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长.经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80 nm.而传统方法连续生长20 min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰.结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率.
关键词:
催化化学气相沉积法
,
多晶硅薄膜
,
非晶硅孕育层
,
氢原子刻蚀
,
晶核
,
晶化速率
周海骏
,
张玉
,
张婷婷
,
郭伟杰
,
张娇霞
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.18.012
采用环状对苯二甲酸丁二醇酯(CBT)原位聚合制备了玻璃纤维(GF)增强聚环状对苯二甲酸丁二醇酯(PCBT)复合材料。研究了聚合温度及催化剂用量对 PCBT 粘均分子量、结晶度以及 GF/PCBT 复合材料力学性能的影响。结果表明,随着聚合温度的升高,PCBT的粘均分子量及结晶度逐渐增大并趋于稳定,GF/PCBT复合材料力学性能也不断增大；当聚合温度为210℃时,PCBT 的粘均分子量为7.16×104 g/mol,结晶度为43.9%,GF/PCBT 复合材料的拉伸和弯曲强度分别为(271.44±3.40)和(257.70±3.73)MPa。随着催化剂用量的增大,PCBT的粘均分子量和结晶度逐渐增大并趋于稳定,复合材料力学性能不断增强；当催化剂用量为0.4%(质量分数)时, PCBT的粘均分子量为7.13×104 g/mol,结晶度为44.4%,GF/PCBT 复合材料的拉伸和弯曲强度分别为(265.10±3.31)和(260.30±2.03)MPa。
关键词:
原位聚合
,
环状对苯二甲酸丁二醇酯
,
聚环状对苯二甲酸丁二醇酯
,
复合材料
张玉
,
雷天宇
,
任红
,
孙远洋
,
蔡苇
,
符春林
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.016
铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料，其禁带宽度较小，剩余极化强度较大，居里温度较高，在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题，制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点，因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作，阐述了不同种类的掺杂，包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂，同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响，对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类，系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后，提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。
关键词:
铁酸铋
,
薄膜
,
漏电流
,
铁电性
,
掺杂改良
雷天宇
,
孙远洋
,
任红
,
张玉
,
蔡苇
,
符春林
表面技术
铁酸铋是唯一一种在室温下存在的单相多铁材料，因其具有较高的铁电居里温度、较大的剩余极化强度、较小的禁带宽度和多铁特性，受到国内外的广泛关注。溶胶-凝胶法是制备铁酸铋薄膜的一种常见方法。综述了近年来溶胶-凝胶法制备铁酸铋薄膜的研究进展，详细阐述了制备工艺参数(前驱液、退火温度、退火气氛、底电极)与掺杂对铁酸铋薄膜电性能的影响；分析了不同制备工艺导致薄膜电性能出现差异的原因；归纳、总结出了目前溶胶-凝胶法制备铁酸铋薄膜的较佳工艺条件；最后，指出了亟待解决的问题。
关键词:
铁酸铋
,
薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
电学性能
宋修艳
,
柴方军
,
张玉
,
刘福胜
,
于世涛
高分子材料科学与工程
综述了近年来废聚碳酸酯(PC)材料化学循环利用的研究现状,重点介绍了目前国内外开发的主要化学解聚方法,并对其优缺点进行了分析.其中包括热裂解法、水解法、醇解法、超(亚)临界解聚法以及在离子液体环境下的化学解聚法等.对废PC在离子液体环境下进行化学解聚生成双酚A和碳酸二甲酯的可行性进行了分析与展望,指出离子液体环境下的化学解聚法有望成为处理废PC材料的有效方法.
关键词:
废聚碳酸酯
,
化学解聚
,
水解
,
醇解
,
超(亚)临界
,
离子液体
龚春红
,
张玉
,
阎超
,
高敏杰
,
吴志申
,
张治军
稀有金属材料与工程
在外加磁场的诱导作用下,采用常压液相还原法,制备较大量直径约为250 nm、长度可达100 μm的超细镍纤维.分别将得到的镍纤维和商品微米镍粉作为填料制备树脂基导电复合材料,在130 MHz～1.5 GHz的频段范围内测定复合材料的电磁屏蔽性能与镍填料含量的关系.结果表明,跟微米镍复合材料相比,镍纤维复合材料具有更好的电磁屏蔽性能.镍纤维含量为33.3%(质量分数)的复合材料的平均电磁屏蔽效果为15.7 dB.
关键词:
超细镍纤维
,
复合材料
,
电磁屏蔽性能
管自生
,
蒋文曲
,
张玉
,
张强
,
李东旭
材料科学与工程学报
采用钼酸铵与硝酸通过直接沉淀法制备了六方晶型的多钼酸,将该多钼酸与碘酒在外加直流电场下的两个电极间研磨制备了碘修饰多钼酸.研究了该多钼酸对氨气、乙醇、丙酮、臭氧的气敏性质,结果表明碘修饰后的多钼酸对极性气体乙醇和氨气具有良好的灵敏性,且在低温范围内气敏性随温度升高而提高,而对非极性气体丙酮和臭氧灵敏性很低.因此,碘修饰多钼酸可成为一种潜在的新型检测极性气体用低温气敏材料.
关键词:
无机合成化学
,
多钼酸
,
碘修饰
,
气敏性
