高攀
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张万荣
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邱建军
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杨经纬
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金冬月
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谢红云
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张静
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张正元
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刘道广
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王健安
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徐学良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.017
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.
关键词:
HBT
,
SiGe
,
横向尺寸
,
高频噪声
