滕冉
,
常青
,
吴志强
,
汪丽都
,
戴小林
,
肖清华
,
姜舰
,
张果虎
,
周旗钢
人工晶体学报
采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响.计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等.计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低.
关键词:
单晶硅
,
有限元法
,
热屏
郝玉清
,
张果虎
,
常青
,
方锋
,
吴志强
,
万关良
,
秦福
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.017
为控制氧径向均匀性, 选择Φ350 mm热场. 增加晶转速度可以改善氧径向均匀性, 但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响.
关键词:
Φ125
,
mm硅单晶
,
氧径向均匀性
,
热场
,
晶转速度
,
石英坩埚转速
朱亮
,
周旗钢
,
戴小林
,
张果虎
,
曹建伟
,
邱敏秀
人工晶体学报
集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置.传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展.本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要.
关键词:
直拉法
,
硅单晶
,
液面位置
张果虎
,
常青
,
方锋
,
吴志强
,
周旗钢
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.01.017
在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.
关键词:
Φ200
,
mm硅单晶
,
无位错
,
热场
,
工艺参数
,
系统操作参数表
肖清华
,
屠海令
,
周旗钢
,
王敬
,
常青
,
张果虎
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.
关键词:
SOI
,
注氧隔离
,
智能剥离
,
硅片键合与减薄
,
外延层转移
