周海龙
,
黄柏标
,
潘教青
,
于永芹
,
尉吉勇
,
陈文澜
,
齐云
,
张晓阳
,
秦晓燕
,
任忠祥
,
李树强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.025
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果.由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高A1GaInP LED的器件的稳定性.
关键词:
稳定性
,
发光二极管
,
厚度
于永芹
,
黄柏标
,
尉吉勇
,
潘教青
,
周海龙
,
齐云
,
陈文澜
,
秦晓燕
,
张晓阳
,
任忠祥
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.018
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因.
关键词:
InGaAs/AlGaAs量子阱
,
MOCVD
,
量子尺寸效应
,
应变效应
尉吉勇
,
黄柏标
,
于永芹
,
张琦
,
姚书山
,
张晓阳
,
秦晓燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.004
利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.
关键词:
InGaAlP
,
量子阱
,
光学上转换
,
双光子吸收
张晓阳
,
朱玲
,
朱玲玲
,
孟令硕
材料导报
以糖类为模板剂,有机铝为铝源,采用溶胶-凝胶法合成了介孔氧化铝,采用X射线衍射(XRD)、比表面积分析(BET)、透射电镜(TEM)等分析手段考察了制备条件对样品结构的影响,并研究了样品对正丁烷的吸脱附性能.结果表明:产物为具有介孔结构的γ-Al2O3,比表面积为195.9～280.1 m2/g,孔径分布范围为3～15 nm,孔容为0.38～0.49 cm3/g.吸脱附性能测试结果表明:ASu-n由于孔径分布宽、孔径较大,表现出较好的吸附行为.其中,样品ASu-2对正丁烷的吸附率达到4.27％.
关键词:
糖类模板剂
,
溶胶-凝胶法
,
介孔氧化铝
,
正丁烷
,
吸脱附
赵晓非
,
张晓阳
,
范蕾
,
杨腾飞
,
张振超
硅酸盐通报
笔者通过对大庆采油五厂返排液水质分析,配置实验模拟液,对弱碱三元复合驱钙镁硅混合垢生长的微观过程进行了研究,并总结钙镁硅混合垢微观成垢机理.实验表明,碳酸盐与硅酸自聚成垢之间是相互影响的,单独钙镁体系或者硅酸成垢率低,成垢速率缓慢;低浓度比体系中硅酸对钙离子成垢有加速作用,1h混合体系钙离子成垢率为87％,高浓度比体系中硅酸对钙离子成垢有一定的减速作用,10 h时钙离子成垢率为50％,但二者均未影响钙离子的最终成垢率,24h后钙成垢率均为98％;混合体系中镁离子成垢显著增加,低浓度比体系中影响尤为明显,1h后低浓度比体系中镁离子成垢率已达94％;钙镁离子对硅酸聚合有明显的促进作用,低浓度比体系72 h后硅酸成垢率为95％,而但纯硅酸体系72 h的成垢率仅为5％,高浓度比体系,钙镁离子对硅酸最终成垢率无太大影响,但对其聚合速率影响颇大.偏光显微镜观察,纯碳酸盐溶液中,混合垢以立方体型碳酸钙和棒状三水合碳酸镁组成,碳酸钙吸附在棒状三水合碳酸镁晶须两端;加入硅酸后,生成球状三水合碳酸镁,絮状硅酸吸附在碳酸盐晶体上.利用电子扫描显微镜观察得到,钙镁硅混合垢微观形态为“核壳包被”结构,即以碳酸盐为晶核,多聚硅酸为壳的球形混合垢.
关键词:
弱碱三元复合驱
,
钙镁硅混合垢
,
微观成垢机理
,
核壳包被结构
