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CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展

张晓科 , 关勇辉 , 王可 , 解晶莹

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.022

CuInSe2 (CIS)/Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注.介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型.阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度.综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展.

关键词: 光伏材料 , CIS/CIGS , 缺陷 , 蒸镀法 , 溅射法

两步法电化学制备CuInSe2太阳能电池吸收层材料

张晓科 , 王可 , 解晶莹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.004

采用先沉积In2Se3薄膜,再沉积CuInSe2的两步法电化学制备薄膜太阳能电池CuInSe2吸收层材料.通过XRD、SEM、EDX等分析手段检测了材料形貌、结构以及组分等,结果表明薄膜组分比为CuIn1.7Se2.2,其中In和Se的含量相对化学计量比有所增加.循环伏安法研究表明CuInSe的沉积属于诱导共沉积范畴.

关键词: CuInSe2 , 电沉积 , 两步法 , 薄膜

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