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工业Fe-Mn催化剂上基于详细反应机理的F-T合成动力学模型Ⅱ.不同校正方法的动力学模型分析

滕波涛 , 常杰 , 王刚 , 张成华 , 刘颖 , 郑洪岩 , 杨骏 , 张荣乐 , 白亮 , 相宏伟 , 李永旺

催化学报

通过平衡闪蒸模拟催化剂孔道液体组成、烯烃物理吸附和虚拟烯烃分压等方法,考察了化学反应以外的非本征因素对F-T合成动力学模型的校正.平衡闪蒸模拟催化剂孔道中烯烃组成的校正计算结果表明,在烯烃浓度出现峰值前,溶解度效应对烯烃再吸附及参与二次反应起主导作用,而在烯烃浓度出现峰值后,烯烃的扩散和物理吸附等效应可能起主导作用.分析烯烃添加的反应器模拟结果发现,考虑烯烃物理吸附作用的动力学模型校正方法不能够正确反映烯烃添加实验的定性规律,而虚拟烯烃分压校正方法能够正确反映烃分布规律并可定量预测烯烃添加对产物分布规律的影响,这对需要尾气循环的F-T合成工业操作具有重要意义.

关键词: 费-托合成 , 动力学 , 溶解度 , 物理吸附 , 虚拟烯烃分压 , , , 工业催化剂

工业Fe-Mn催化剂上基于详细反应机理的F-T合成动力学模型Ⅰ.烯烃再吸附动力学研究

滕波涛 , 常杰 , 刘颖 , 张成华 , 杨骏 , 郑洪岩 , 张荣乐 , 白亮 , 相宏伟 , 李永旺

催化学报

利用转篮式无梯度反应器,在工业Fe-Mn催化剂上,在较宽的工业操作相关的反应条件下进行了F-T合成反应动力学研究.首次提出了利用转篮式无梯度反应器反应气氛和反应温度均一的优势,将烃生成反应动力学的估算从传统的对烃生成和水煤气变换这两类发生在不同活性中心的反应同时进行估算的方法中分离出来,简化了烃生成动力学模型的计算.在基于亚甲基插入的亚烷基机理动力学模型基础上,考虑到乙烯与催化剂表面强的相互作用,将乙烯和乙烷的生成动力学参数单独览计算.动力学模型计算的链增长、烷烃和烯烃生成的活化能均与文献报道值具有较好的一致性.由F-T合成动力学模型计算的合成气消耗速率、甲烷生成速率和C5+的生成速率较好地与实验值吻合.通过动力学模型并结合实验结果分析发现,未考虑除化学反应之外的非本征因素的烯烃再吸附动力学模型不能够正确预测烃产物分布偏离ASF规律及烯烷比随碳数增加而下降的现象.

关键词: 费-托合成 , 动力学 , 烯烃再吸附 , , , 工业催化剂

甘蔗渣制备生物形态分级多孔木质陶瓷

潘建梅 , 严学华 , 程晓农 , 张成华 , 徐桂芳

功能材料

采用甘蔗渣为生物质原料,浸渍环氧树脂后(两者质量比为2.5∶1)高温烧结制备了分级多孔木质陶瓷.使用XRD、SEM、TG等手段研究了木质陶瓷的物相组成、微观形貌和热稳定性,通过压汞法和氮吸附法分析了木质陶瓷从微米到纳米范围的分级多孔结构.研究结果表明,木质陶瓷主要由非石墨化碳层和微量的磷石英组成.木质陶瓷保留了甘蔗渣的管状孔洞,具有从宏孔到介孔分布的分级多孔结构.木质陶瓷的宏孔孔径分布主要在0.4~6μm之间,BET表面积最高达39.7m2/g.随着烧结温度的升高,木质陶瓷的BET表面积、介孔体积和平均孔径都降低.

关键词: 无机非金属材料 , 木质陶瓷 , 甘蔗渣 , 生物形态 , 分级多孔结构

Mo和Cu助剂对FeK/SiO2催化剂费托合成性能的影响

秦绍东 , 张成华 , 许健 , 吴宝山 , 相宏伟 , 李永旺

催化学报 doi:10.3724/SP.J.1088.2010.00142

研究了Mo和Cu助剂对FeK/SiO2催化剂的性质及费托(F-T)合成性能的影响.采用N2物理吸附、H2程序升温还原、X射线衍射、穆斯堡尔谱和X射线光电子能谱技术对催化剂进行了表征.结果表明,Mo加入后与Fe产生了较强的相互作用,抑制了催化剂的还原和碳化;Cu助剂的加入促进了催化剂的还原和碳化;当Mo和Cu共同加入后,催化剂的还原和碳化行为与单独加入Cu助剂时相似.催化剂F-T合成性能在固定床上于280℃,1.5MPa,2 000h-1,H2/CO=2.0的合成气中测试.结果表明,Mo的加入降低了催化剂活性,但提高了重质烃(C5+)的选择性;Cu的添加提高了催化剂的活性,但对稳定C5+选择性作用不明显.Mo和Cu共同加入后,催化剂既表现出较为稳定的C5+选择性,同时其活性也没有降低.

关键词: 费托合成 , 铁基催化剂 , 钼助剂 , 铜助剂 , 重质烃选择性

多孔SiCO陶瓷中SiC纳米线的原位合成及生长机理

潘建梅 , 程晓农 , 严学华 , 张成华 , 徐桂芳

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12353

采用聚氨酯海绵为多孔模板,浸渍有机硅树脂后在Ar气氛中原位合成了SiC纳米线.采用TG、XRD、SEM和TEM等分析测试手段对样品进行了表征,研究了保温时间对合成SiC纳米线的影响,并探讨了SiC纳米线的生长机理.研究结果表明:SiC纳米线生长在多孔陶瓷中,纳米线长度达几十微米,单根纳米线的直径不均一.SiC纳米线的生长机理为VS生长模式.随着保温时间的延长,纳米线的数量增加,形貌发生了变化,且多孔陶瓷的比表面积明显增大,体积电阻率降低.

关键词: SiC纳米线 , 聚合物先驱体 , 多孔陶瓷 , 原位合成

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