张维连
,
赵红生
,
孙军生
,
张恩怀
,
陈洪建
,
高树良
,
刘涛
,
胡元庆
,
李颖辉
,
郭丽华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.017
经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.
关键词:
FZSi
,
旋涡缺陷
,
热对流
,
点缺陷
张维连
,
孙军生
,
张恩怀
,
李嘉席
,
吴小双
,
高树良
,
胡元庆
,
刘俊奇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.014
用永磁体环形磁场直拉(PMCZ)炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏.在用PMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低,杂质的径向分布均匀性好简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理.
关键词:
永磁场直拉(PMCZ)炉 热对流 氧杂质
张维连
,
牛新环
,
吕海涛
,
张恩怀
,
孙军生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.022
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.
关键词:
直拉法
,
硅锗体单晶
,
氧碳含量
,
FTIR谱图
张维连
,
孙军生
,
檀柏梅
,
张恩怀
,
张颖怀
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.011
等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.
关键词:
CZ Si
,
等价掺杂(Ge)
,
新施主
,
热处理
