陆剑峰
,
张忠卫
,
池卫英
,
王亮兴
,
陈鸣波
,
彭冬生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.016
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层; 采用真空蒸发制备TiO2/SiO2双层减反射膜,电流密度增益可达25%以上;研制出平均效率达到19%(AM0,1 s,25 ℃)以上的GaAs/Ge太阳电池.
关键词:
太阳电池
,
GaAs/Ge
,
器件工艺
王亮兴
,
张忠卫
,
池卫英
,
陆剑峰
,
陈鸣波
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.015
采用低压金属有机物化学气相沉积(MOVPE)工艺,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区,导致电池性能严重下降,而Ga和As的扩散,常常导致异常Ⅳ曲线; 在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错,通过降低生长温度和优化成核条件,获得了较好的界面特性,在n-Ge衬底上获得了效率为20.2% (AM0,25 ℃,2 cm×4 cm)的GaAs电池,在p-Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池.
关键词:
太阳电池
,
GaAs/Ge
,
界面
张忠卫
,
陈杰
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.02.09
受到石墨烯的成功制备及其优异性质的影响,新型二维材料的探索和研究成为近年来的研究热点,比如六角氮化硼、硅烯、黑磷以及过渡金属硫化物等,这些材料同样也展现出了优良的性质以及广阔的应用前景,比如在场效应管、光电器件以及清洁能源等领域.另一方面,随着电子元器件的不断小型化,器件中热耗散问题成为制约其性能的关键问题,特别是在微纳米尺度器件中,这使得对二维材料热传导性质的研究显得尤为重要.针对几种典型的二维材料,总结了热传导研究领域在理论计算以及实验测量方面的最新进展.这些二维材料由于其多样的结构特性和成键方式展现出各异的热传导性质,可从石墨烯中的高热导率(2500～5000 Wm-1 K-1)跨度到黑磷中较低的热导率(9 ～30 Wm-1K-1).此外,还特别分析了在二维材料中出现的一些独特物理现象,比如尺寸效应、掺杂和表面吸附效应以及基底效应等.最后,对二维材料的一些功能化应用研究进行了概括.
关键词:
二维材料
,
热耗散
,
热传导
,
石墨烯
,
尺寸效应
