李玲霞
,
吴霞宛
,
张志萍
,
王洪儒
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.06.004
选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电性能为:ε≈5,tgδ≤5×10-4,αc≤0±30ppm/℃,IR≥1012Ω,烧结温度为1140℃.通过对系统所进行的X-射线衍射分析,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法,并代入李赫德涅凯对数混合定则,计算出系统的介电性能,从而获得了一种设计无机材料系统介电性能的新方法.
关键词:
ZnO-B2O3-SiO2系统
,
超低介电
,
常数
,
X-射线衍射分析
,
衍射峰强度
,
设计材料介电性能
刘红飞
,
程晓农
,
徐桂芳
,
张志萍
,
付廷波
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2007.01.002
以α-Al2O3为靶材,采用射频磁控溅射法制备了非晶Al2O3薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜、划痕仪、表面粗糙轮廓仪和阻抗仪研究了不同溅射功率和不同溅射气压对薄膜制备的影响,探索了不同溅射功率下制备的Al2O3薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系.试验结果表明,制备的非晶Al2O3薄膜表面平滑致密;随着工作气压的增加,薄膜沉积速率增加;随着溅射功率的增加,Al2O3薄膜的沉积速率和介电常数逐渐增加、介电损耗逐渐减小;随着频率的增加,Al2O3薄膜的介电常数逐渐减小,高频阶段趋于稳定.
关键词:
Al2O3薄膜
,
RF磁控溅射
,
沉积速率
,
介电损耗
,
介电常数
朱浩波
,
李玲霞
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.03.027
研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响.其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率.ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶结构,有效地阻止了晶粒过度长大,改善了微观结构,减小了因气孔而造成的击穿,提高了耐压强度.
关键词:
稀土元素
,
细晶效应
,
耐压
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
无机材料学报
利用柠檬酸盐法制备了(Ag1-xNax)(Nb1-xTax)O3(简称ANNT)纳米粉体材料,通过TEM分析可观察到其颗粒度<50nm,且团聚较小.论文对柠檬酸盐法的反应机理进行了深入地探讨,分析了不同烧结温度下的显微结构变化,证实ANNT系统可在1040-1060℃范围内致密化.XRD分析结果表明系统中所生成的主晶相为ANNT.
关键词:
柠檬酸盐法
,
（Ag1-xNax）（Nb1-xTax）O3
,
nanomaterials
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
稀有金属材料与工程
利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.
关键词:
先驱体
,
NiNb2O6
,
MnNb2O6
,
EMI
,
滤波
吴顺华
,
赵玉双
,
张志萍
,
王国庆
,
章锦泰
,
熊文
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.06.005
主要研究了Ba2Ti9O20陶瓷的结构和介电性能.通过在BaCO3、TiO2中添加适量的ZnO、Nb2O5,在12 60℃烧成了介电性能优良的Ba2Ti9O20陶瓷.XRD研究表明,其主晶相为Ba2Ti9O20,附加晶相为Ba2Ti9O9、Ba3Ti12Zn7O34、Ti2Nb 10O29.
关键词:
高频介质陶瓷
,
介电性能
,
Ba2Ti9O20
朱玉梅
,
吴霞宛
,
于绍杰
,
王鸿儒
,
张志萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.01.016
从光纤连接器的发展历程,光纤连接器套管的结构、加工技术,材料体系及其性能特点,论述了光纤连接器的研究、制备技术现状及发展趋势.
关键词:
光纤连接器
,
套管
,
制备技术
,
发展趋势
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
无机材料学报
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500, tgδ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ω·cm。
关键词:
高频高介
,
ANT
,
relaxation polarization
,
dissipation factor
王国庆
,
吴顺华
,
赵玉双
,
张志萍
无机材料学报
建立三维模型,用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟,并由此计算出介质的宏观介电常数εm.发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型.三维模型符合实际复合介质中微粒间并联程度大于串联程度的事实,因此由三维模型得出的电场分布和εm值比二维模型更加精确.得出了新的两相复合介质宏观介电常数预测公式:εαm=V1εα1+V2εα2,其中α=(V12+20V1V2+5V22)/11,V1+V2=1,ε1<ε2.该公式与若干文献中的实验结果相吻合.
关键词:
复合介质
,
monte carlo method
,
finite element method
,
mixing rule
