施东良
,
李坤
,
李发亮
,
王雨
,
张德银
,
李金华
,
陈王丽华
功能材料
在铌酸钾钠（KNN）陶瓷中掺杂锂和铋的氧化物作为晶粒生长抑制剂,用常压烧结工艺制备了铌酸钾钠透明陶瓷（K0.48-0.5xNa0.52-0.5xLixNb1-xBixO3,x=0.04～0.15）材料。研究了掺杂量、烧结工艺条件对陶瓷透明性、光电系数、晶相结构和微观形貌的影响。当x=0.09时,厚度为0.5mm陶瓷样品的红外透光率达到82%,光电系数为6.06×1011m/V。
关键词:
透明陶瓷
,
光电性
,
铌酸钾钠
张德银
材料导报
自制了导电的TiN薄膜底电极,并在其上制备了铁电钽酸锂薄膜,测试了TiN薄膜电阻随热处理温度变化的关系,以及TiN底电极上钽酸锂薄膜的介电和漏电特性.实验结果表明,当热处理温度低于700℃时,TiN薄膜的电阻率小于0.004QΩ·cm,具有良好的导电性,可用作钽酸锂薄膜底电极;TiN底电极上钽酸锂薄膜的漏电电流大于Pt衬底上钽酸锂薄膜的漏电电流;N2气氛下在TiN底电极上结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗远大于O2气氛下结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗;氧缺位是TiN底电极上钽酸锂薄膜介电损耗大和漏电大的主要原因.
关键词:
底电极
,
氮化钛
,
钽酸锂
,
溶胶-凝胶法
包勇
,
张德银
材料科学与工程学报
为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺.分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析.实验结果表明,采用离子束增强沉积制备的钽酸锂样品经550℃退火后,介电常数为39.44,介电损耗为0.045;测试电场强度为400kV/cm时,漏电流为4.76×10-8 A/cm2,击穿场强为680kV/cm,热释电系数达到1.82×10-4/m2K.相比之下,采用溶胶-凝胶方法制备的钽酸锂薄膜样品,其介电常数、介电损耗、漏电流都更大,击穿场强和热释电系数更低.从电性能参数比较可以看出,离子束增强沉积法比溶胶-凝胶法更适合用于制备钽酸锂薄膜.
关键词:
离子束增强沉积
,
钽酸锂
,
溶胶-凝胶
,
介电常数
,
铁电特性
,
热释电系数
张德银
,
黄大贵
,
李金华
,
曹大呼
,
李坤
功能材料
以乙醇钽和乙醇锂为原料用溶胶-凝胶法在1250℃烧结制备了LiTa3O8粉体;以碳酸锂和氧化钽为原料用固相反应法在1330℃制备了对比的LiTa3O8粉体.用XRD测试表征了新制备的LiTa3O8粉体的结构和特性.实验结果表明,两种方法制备的LiTa3O8粉体都具有正交相结构,但是溶胶-凝胶法比固相反应法制备的LiTa3O8陶瓷粉体具有更低的烧结温度和更高的粉体纯度.
关键词:
LiTa3O8粉体
,
溶胶-凝胶法
,
固相反应法
,
正交相
张德银
,
黄大贵
,
李金华
,
李坤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01106
以乙醇锂和乙醇钽为起始反应物, 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了新型钽酸锂LiTa3O8铁电薄膜. 经XRD图谱对比, 该薄膜结构不同于LiTaO3晶体结构, 与正交相结构类似. SEM分析显示经过750℃结晶退火的LiTa3O8薄膜表面均匀平整无裂纹, 膜厚约为1μm. 实验结果表明, 在450kV/cm时, LiTa3O8薄膜剩余极化强度Pr为9.3μC/cm2, 矫顽场强Ec为126.8kV/cm; 在9.5kV/cm时, LiTa3O8薄膜漏电电流为8.85×10-9A/cm2, 比LiTaO3薄膜漏电小; 在1kHz时, LiTa3O8薄膜介电常数为58.4, 介电损耗为0.26. 溶胶-凝胶法制备的 LiTa3O8薄膜结晶温度比LiTaO3薄膜高50℃以上.
关键词:
铁电薄膜
,
LiTa3O8
,
sol-gel
,
ferroelectric properties
,
dielectric properties
张德银
,
黄大贵
,
李金华
,
董政
,
陈敏
材料导报
介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景.
关键词:
钽酸锂薄膜
,
制备技术
,
热释电红外传感器
,
应用
张德银
,
黄大贵
,
李金华
,
李坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.004
以乙醇锂和乙醇钽为起始反应物,用溶胶一凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了新型钽酸锂LiTa3O8铁电薄膜.经XRD图谱对比,该薄膜结构不同于LiTaO3晶体结构,与正交相结构类似. SEM分析显示经过750℃结晶退火的LiTa3O8薄膜表面均匀平整无裂纹,膜厚约为1μm.实验结果表明,在450kV/cm时,LiTa3O8薄膜剩余极化强度Pr为9.3μC/cm2,矫顽场强Ec为126.8kV/cm;在9.5kV/cm时,LiTa3O8薄膜漏电电流为8.85x10-9A/cm2,比LiTaO3薄膜漏电小;在1kHz时,LiTa3O8薄膜介电常数为58.4,介电损耗为0.26.溶胶-凝胶法制备的LiTa3O8薄膜结晶温度比LiTaO3薄膜高50℃以上.
关键词:
铁电薄膜
,
LiTa3O8
,
sol-gel
,
铁电性能
,
介电性能
