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Ti缓冲层对ZnO薄膜吸收特性和荧光光谱的影响

张小雷 , 马书懿 , 杨付超 , 黄新丽 , 马李刚 , 李发明 , 赵强 , 刘静 , 靳钰珉

功能材料

采用射频磁控溅射法在Si衬底和玻璃衬底上制备了ZnO/Ti薄膜,利用紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/Ti薄膜的光学特性,研究了Ti缓冲层的厚度对ZnO薄膜的影响。透射吸收光谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,当引入缓冲层后,薄膜的紫外吸收边先向长波方向移动,且随着缓冲层厚度的增加紫外吸收边向短波方向移动。薄膜的荧光光谱显示,所有样品出现了位于390nm的紫外发光峰,435和487nm的蓝光双峰以及525nm的绿光峰,并对各发光峰的来源进行了探讨。

关键词: Ti缓冲层 , 紫外-可见光吸收光谱 , 荧光光谱 , ZnO薄膜 , 磁控溅射

Pt/Hg3In2Te6接触的温度特性研究

张小雷 , 孙维国 , 鲁正雄 , 张亮 , 赵岚 , 丁嘉欣

人工晶体学报

运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极,形成Pt/Hg3In2Te6接触,采用I-V测试仪在120~260 K温度范围内对其I-V特性进行测量.根据热电子发射模型,计算得到了Pt/Hg3In2Te6的肖特基势垒高度.结果表明:Pt/Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触,肖特基势垒高度为0.46 eV.在120~260 K温度范围内,理想因子随温度增大逐渐从2.93减小至1.42.将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器,发现了响应光谱在波长1.55 μm处峰值达到最大,在室温下峰值探测率D* 达到了1011 cm·Hz1/2·W-1.

关键词: Hg3In2Te6 , 肖特基接触 , 理想因子 , 响应光谱

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