翟霞
,
王华
,
崔业让
,
袁昌来
,
许积文
,
张小文
,
周昌荣
,
江民红
,
刘心宇
人工晶体学报
采用传统固相合成法和制备工艺,在1040℃制备了{0.996 [0.95( Na0.5 K0.5)NbO3-0.05LiSbO3 ]-0.004FeBiO3}+x mol％ CuO(KNN-LS-BF+x mol％ CuO)无铅压电陶瓷,研究了CuO掺杂量对陶瓷结构和性能的影响.结果表明,CuO的低温促烧作用明显,微量CuO的掺入并没有改变陶瓷体系的相结构,但对陶瓷的压电和介电性能有明显影响.随CuO掺杂量的增加,陶瓷的d33、kp、εr均是先升高后降低,并在x=0.15时,d33、kp、εr分别达到最大值222 pC/N、0.36、1223.14;Qm也是先升高后降低,不过是在x=0.3时达到了最大值66.02.而tanδ则是先降低,在x=0.45达到最小值2.5％后又开始回升.在x=0.15时,所制备压电陶瓷有最好的综合性能:d33=222pC/N,kp=0.36,εr=1223.14,tanδ=3.3％,Qm =52.27.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
CuO掺杂
,
性能
覃仁咸
,
刘心宇
,
黄锡文
,
叶凡
,
陈光明
,
张小文
,
李波
稀有金属材料与工程
采用雾化法制备Ag(90.5％)/Sn(9.5％,质量分数)合金粉末,使用热重分析仪得出600,700,800℃内氧化动力学曲线,分析Ag-Sn合金粉末氧化前后的粒度、表面形貌、物相组成及表面成分.结果表明:氧化前后合金粉粒度变化极小,氧化后表面粗糙,在“鳞片”交界处出现细小空洞与缝隙,有体积膨胀迹象.根据控制扩散反应的因素不同,分为快速增重、混合增重和抛物线增重3个不同阶段.
关键词:
低压触头
,
Ag-Sn合金
,
雾化法
,
氧化机理
,
银氧化锡
李波
,
刘心宇
,
黄锡文
,
叶凡
,
张小文
,
张琪
,
陈光明
稀有金属材料与工程
采用雾化法分别制备了Ag-9.5Sn和Ag-7.6Sn-0.87In合金粉末,使用热重分析仪研究了相关合金在900℃氧化动力学曲线;并分析了合金粉末氧化前后的粉末颗粒形貌及表面成分.结果表明:Ag-7.6Sn-0.87In合金粉末氧化时,其快速氧化增重过程分为两阶段,且第1阶段快速增重速率比第2阶段快;微量添加In能促进第1段快速氧化增重,In与Sn氧化后形成一层均匀致密的氧化膜阻碍了第2阶段快速氧化增重.
关键词:
电触头材料
,
Ag-Sn-In合金粉末
,
雾化法
,
氧化机理
,
银氧化锡
张琪
,
叶凡
,
黄锡文
,
刘心宇
,
张小文
,
徐涛
,
陈光明
稀有金属材料与工程
对雾化法制备的AgSnO2粉末进行球磨处理,研究了高能球磨对AgSnO2粉末的形貌及其烧结性能的影响.结果表明:高能球磨有利于提高AgSnO2粉末的烧结性能,改善烧结坯的显微组织以及第二相粒子SnO2在Ag基体中的分布,因而获得了晶粒细小、致密度高、抗弯强度大以及加工性能优良的AgSnO2电触头材料.
关键词:
银氧化锡
,
高能球磨
,
电触头材料
,
显微组织
陈海芳
,
甘国友
,
严继康
,
张小文
材料导报
TiO2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件.主要研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.研究中发现,随着烧结温度的升高,TiO2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势.在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104.
关键词:
二氧化钛
,
压敏陶瓷
,
烧结温度
张小文
,
甘国友
,
严继康
,
季惠明
,
陈朝霞
材料导报
概括了TiO2压敏电阻的发展与现状,详细讨论了微观结构、掺杂及工艺对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响.根据目前国内外市场状况及其发展趋势,发展多学科交叉研究、优选组分、改进工艺是进一步改善材料性能的关键.在新形势下,开发高质量、多功能TiO2压敏电阻器,将极具市场前景和经济效益.
关键词:
二氧化钛
,
压敏电阻
,
陶瓷
韦长成
,
王华
,
许积文
,
张小文
,
杨玲
,
陈齐松
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶工艺在p+-Si基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜,构建了Ag/La0.67Ca0.33MnO3/p+-Si三明治结构的阻变器件,研究了器件的电致阻变性能.结果表明:Ag/La0.67Ca0.33MnO3/P+-Si器件具有明显的双极性阻变特性,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)比(HRS/LRS)高于104,器件在高阻态和低阻态的电荷传导机制分别遵循Schottky势垒导电机制与空间电荷限制电流机制(SCLC).器件在2×103次可逆循环测试下,高、低阻态比无明显变化,表现出良好的抗疲劳特性.根据器件的高、低阻态阻抗谱,可以得到阻变效应是由器件界面的肖特基势垒的改变与器件内部缺陷填充共同作用的.
关键词:
Ag/La0.67Ca0.33MnO3/p+-Si
,
阻变性能
,
传导机制
,
溶胶-凝胶
高书明
,
王华
,
许积文
,
张小文
,
袁昌来
,
杨玲
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法制备了Ag/Mg0.2Zn0.8O/ITO异质结,研究了溶胶浓度对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、阻变性能和疲劳特性等的影响.研究表明:Mg0.2Zn0.8O为多晶薄膜,平整致密,且随溶胶浓度的增加结晶度逐步增强,但溶胶浓度过大会导致裂纹产生.阻变行为表明,随着溶胶浓度的增加,Vsct电压逐渐升高,高阻态的阻值(RHRS)逐渐下降,低阻态的阻值(RLRS)无明显变化,RHRs/ RLRS和无疲劳循环次数逐渐降低.不同溶胶浓度所制备Ag/Mg0.2Zn0.8O/ITO异质结遵循相同的导电机制,但低压区域遵循欧姆传导机制的范围有所不同,浓度为0.3 mol/L的薄膜具有较好的综合性能,其Vset低至1.2V、无疲劳循环次数达到230次、RHRs/ RLRS大于10.
关键词:
Mg0.2Zn0.8O
,
阻变异质结
,
溶胶浓度
,
溶胶-凝胶
