张寅
,
王弘
,
尚淑霞
,
王少伟
,
王民
,
齐尚奎
,
刘希玲
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.015
本文采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,这种薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性.运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,衬底中Si向镀在其上的Bi4Ti3O12膜层内扩散,影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度.
关键词:
铁电薄膜
,
化学溶液沉积法
,
X射线光电子能谱
,
Si扩散
杨雪娜
,
王弘
,
张寅
,
姚伟峰
,
尚淑霞
,
周静涛
,
刘延辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.008
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.
关键词:
High-k材料
,
MOSFET
,
栅介质
,
薄膜
周静涛
,
王弘
,
黄伯标
,
许效红
,
姚伟峰
,
张寅
,
杨雪娜
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.009
本文综述了近期光催化降解染料废水的研究进展,从光催化剂、反应条件、光降解反应产物及光催化降解染料废水的应用性四个方面介绍了其研究现状, 指出今后的研究方向将集中在新型光催化剂的开发及光催化剂表面改性、光催化体系、光催化降解染料的反应机理及光催化剂与其它水处理技术的结合.
关键词:
光催化
,
染料
,
TiO2
周静涛
,
王弘
,
黄柏标
,
许效红
,
姚伟峰
,
张寅
,
杨雪娜
,
功能材料
综述了最近几年TiO2改性的研究,简要介绍了其他光催化材料的研究进展,并结合本课题组的工作,介绍了对一种新型光催化材料Bi-Ti-O系列材料研究的最新进展.指出:今后光催化材料的发展方向仍以TiO2改性的研究为主导;以钛酸铋(Bi4Ti3O12、Bi12TiO20)为代表的新型光催化材料,有着催化效率高,低能隙等突出的优点,有着广阔的应用前景.
关键词:
光催化材料
,
TiO2
,
钛酸铋
徐林
,
杨文彬
,
陈铮
,
张寅
,
赵高文
,
冯志海
,
王俊山
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160126.003
为获得高性能热结构复合材料,以国产T300碳纤维为原料,通过碳布预浸料交替铺层热压及液相浸渍裂解工艺方法制备了一系列二维碳/碳复合材料,并对二维碳/碳复合材料的微观结构特征、力学性能及烧蚀性能进行了测试与分析.研究结果表明:碳布规格及制备工艺对二维碳/碳复合材料力学性能有较大影响,当碳布规格选用八枚缎纹、经过碳化预处理且高温处理温度达到2 300℃时,二维碳/碳复合材料表现出较好的综合性能,拉伸强度和层间剪切强度的最大值分别高达301MPa和12.4 MPa,达到了国际先进水平;在模拟典型服役环境考核状态下,制备的不同规格二维碳/碳复合材料的烧蚀性能基本相当,均未出现由于层间强度偏低而发生的烧蚀揭层现象,表现出较好的烧蚀均匀性和结构可靠性.
关键词:
碳/碳复合材料
,
界面结合强度
,
拉伸强度
,
层间剪切强度
,
烧蚀性能
刘小艳
,
吴福迪
,
王帮武
,
赵云峰
,
王立敏
,
张寅
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150522.003
为获得一种低压缩、永久变形及高回弹的导电屏蔽硅橡胶密封材料,以经偶联剂表面处理的炭黑作补强剂及导电填料,乙烯基硅橡胶生胶作基料,制备出一种导电炭黑/硅橡胶复合材料.研究了不同炭黑含量的导电炭黑/硅橡胶复合材料的力学性能、弹性、分散性以及电性能,采用SEM观察了炭黑在硅橡胶基体中的分布形貌,分析了导电炭黑/硅橡胶复合材料的导电机制及屏蔽机制.结果表明:随着炭黑含量的增加,导电炭黑/硅橡胶复合材料的Shore A硬度由31增至70;拉伸强度先由3.31 MPa增至5.28 MPa,而后趋于稳定;拉断伸长率先由198％增至297％,然后再减小至210％;恒定压缩永久变形量先减小后增大,瞬间回弹率逐渐减小;由于“炭黑簇”的形成及导电通路的完善,导电炭黑/硅橡胶复合材料的导电性能及屏蔽效能增强.
关键词:
低压缩永久变形
,
炭黑/硅橡胶复合材料
,
高回弹
,
导电机制
,
电磁屏蔽
王帮武
,
刘小艳
,
朱巍
,
张寅
,
赵光辉
宇航材料工艺
doi:10.12044/j.issn.1007-2330.2017.01.009
首先通过平行对比了三种填充不同导电填料的硅橡胶材料的拉伸强度、扯断伸长率、恒定压缩永久形变、导电性及屏蔽性能,优选出镀银铝粉作导电填料;考察了镀银铝粉用量对硅橡胶材料的拉伸强度、伸长率、压变、微观形貌、导电性能的影响,最终确定镀银铝粉的填充体积分数为55％;结合导电橡胶制品对使用寿命的需求,进一步深入研究了导电硅橡胶材料在自然平贮老化及高温加速老化下的导电性能.结果表明:随老化时间的延长,体积电阻率不断增大,导电性能减弱.自然平贮老化60 d后,材料的体积电阻率基本不变;900d后,体积电阻率由初始值4.6×10-3 Ω·cm增大至7.5× 10-2Ω·cm.150℃老化30 d后,体积电阻率由初始值增大至9.5×10-2 Ω·cm.填充镀银铝粉的导电硅橡胶材料在两种条件下老化后均能保持高的导电性;高温加速老化对导电性能的影响大于自然平贮老化.
关键词:
导电硅橡胶
,
镀银铝粉
,
体积电阻率
,
平贮老化
,
高温老化
吴坤
,
徐林
,
杨文彬
,
张寅
,
张大海
宇航材料工艺
doi:10.12044/j.issn.1007-2330.2017.03.009
将TaSi2引入到ZrB2-20％SiC中得到ZrB2-10％SiC-10％TaSi2,并在1 000、1 200、1 500和1 650℃有氧条件下分别氧化5、15和30 min.复合材料通过热压烧结法制备(1 950℃/30 MPa/30 min),并通过XRD及SEM等方法对氧化后的质量变化及微观结构进行了分析.结果表明,TaSi2的引入提高了ZrB2-20％SiC的致密度和力学性能,但是在1 200℃以上温度氧化时,ZrB2-10％SiC-10％TaSi2的抗氧化性有所降低.
关键词:
TaSi2
,
ZrB2-20％SiC
,
力学性能
,
抗氧化性能
