王伟
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石家纬
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姜文海
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郭树旭
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张宏梅
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马东阁
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全宝富
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.017
在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.
关键词:
有机薄膜场效应晶体管
,
顶电极
,
底电极
,
迁移率
