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扫描透射电镜对GaInAsSb/GaSb异质结截面的研究

张子旸 , 张宝林 , 周天明 , 蒋红 , 金亿鑫 , 李树玮 ,

功能材料

报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊.

关键词: GaInAsSb , 位错 , 层错 , STEM