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LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)透明薄膜制备改进与其发光性能研究

吴霜 , 刘波 , 邱志澈 , 陈士伟 , 张娟楠 , 刘小林 , 顾牡 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150503

LuTaO4是一种新型的辐射探测材料,但是制备高质量的透明薄膜面临着巨大挑战.为了在保证薄膜不开裂与高透明度的前提下提高薄膜的厚度,通过大量摸索选用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为胶黏剂并优化溶胶中固含量及PVP含量成功制备出单层厚度达到l00 nm的LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)薄膜,保证了薄膜的透明度同时大大提高了发光性能.该方法为高质量LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)厚膜的制备和应用奠定了基础.

关键词: LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 固含量 , PVP , 发光性能

Lu2SiO5∶Ce3+透明薄膜制备及其发光性能研究

吴霜 , 刘波 , 陈士伟 , 张娟楠 , 刘小林 , 顾牡 , 黄世明 , 倪晨 , 薛超凡

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160034

Lu2SiO5∶ Ce3+薄膜具有高光产额、快衰减时间、高密度、高空间分辨率等优点,有望成为X射线探测中的闪烁材料,但制备高质量的薄膜面临挑战.本工作采用溶胶凝-胶法,通过对制备过程中水硅比、烧结程序、胶黏剂和固含量等四个因素的系统研究与分析,结果表明:在空气湿度为85%,溶胶水硅比为6.6条件下,适量添加PEG400,采用优化后最佳固含量,从450℃开始进行烧结程序后退火,可制备出具有透明、平整、无裂痕的高质量Lu2SiO5∶ Ce3+闪烁薄膜,单次旋涂获得的膜厚达到167 nm.实验表明水含量是引起薄膜发白的主要因素;烧结程序决定了薄膜的有机物分解程度及结晶状况;溶胶固含量及胶黏剂含量是调控薄膜厚度的重要方法.本工作为Lu2SiO5∶ Ce3+闪烁薄膜的实际应用奠定了基础.

关键词: Lu2SiO5∶ Ce3+薄膜 , 水硅比 , 烧结程序 , 胶黏剂 , 固含量 , 发光性能

Lu2O3纳米线阵列的超声辅助溶胶-凝胶模板法制备与表征

胡亚华 , 顾牡 , 张致远 , 刘小林 , 黄世明 , 刘波 , 张娟楠

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160014

采用超声辅助的溶胶-凝胶阳极氧化铝(AAO)模板法制备Lu2O3纳米线阵列.通过X射线衍射谱(XRD)、能量色散X射线谱(EDX)、扫描以及透射电镜(SEM及TEM)对纳米线阵列的晶体结构和形貌进行表征.结果显示:Lu2O3纳米线阵列的晶相呈纯立方相Lu2O3多晶结构;纳米线形貌完整、取向一致、粗细均匀,直径约200 nm.与简单浸泡法相比,采用的超声辅助技术可有效提高Lu2O3在AAO孔道内的填充度,填充度接近100%.该方法具有工艺简单、成本低廉、填充度高、重复性好等特点,不仅可实现大面积Lu2O3纳米线阵列的制备,而且还可推广到其他材料的纳米线阵列制备.

关键词: 超声辅助 , 溶胶-凝胶法 , AAO模板 , Lu2O3纳米线阵列

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