张喜田
,
张伟力
,
高红
,
许武
,
秦伟平
,
张家骅
,
陈宝玖
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.010
我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光，首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷，探索了GaAs量子阱结构的发光机理。
关键词:
光致发光
,
激发光谱
,
量子阱
,
激光制冷
,
上转换
王丹
,
张喜田
,
刘益春
,
张吉英
,
吕有明
,
申德振
,
范希武
功能材料
用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜, 并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响. X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大.光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的,且随热氧化温度升高,激子发光峰发生红移,激子发光和深能级缺陷发光强度之比逐渐增大,在热氧化温度为800℃时,其比值为10.
关键词:
纳米ZnO薄膜
,
X射线衍射
,
紫外光致发光
张喜田
,
王玉玺
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.010
利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.
关键词:
离子注入
,
光致发光
,
配位体
,
稀土元素
,
半导体材料
,
磷化铟
张喜田
,
高红
,
张伟力
,
袁斯伟
,
刘益春
,
许武
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.013
本文研究了用电子束分蒸技术制备的ZnO∶Er薄膜的结构和发光特性.X射线衍射(XRD)谱表明,六角晶体结构的ZnO∶Er薄膜具有强的择优c轴取向(002).在室温下,用阴极射线激发样品,观测到强的蓝光(455nm)发射.本文认为,蓝光发射是ZnO∶Er薄膜中铒离子(Er3+)的激发态4F5/2到基态4I15/2的辐射跃迁.研究薄膜的阴极射线发光强度与电子束流的关系时发现,蓝光发射强度强烈地依赖于电子束流的大小.此外,超过阈值电子束流0.6μA,蓝光发射强度首先迅速增加,然后缓慢地增加,趋于饱和,根据瓶颈效应和稀土发光理论很好地解释了这一实验结果.
关键词:
电子束分蒸技术
,
光致发光
,
阈值电子束流
,
瓶颈效应
徐威
,
付淑芳
,
白晶
,
张喜田
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.006
利用Doi理论研究在磁场和剪切流同时作用下的高分子液晶的分子动力学问题.由于系统受到磁场的影响,在低剪切率范围内出现一种新型的稳定状态(new aligning).并且这一领域随磁场强度的增加不断地扩大,进而导致了不稳定状态(tumbling)领域的逐渐减小,直至消失.因此,系统在这一领域的有序度可以被大幅度的提高.另一方面,在通常意义下的稳定状态(normal aligning)领域内,剪切率产生的力矩大于磁场产生的力矩,因而系统的有序度提高的幅度很小.
关键词:
高分子液晶流
,
磁场
,
剪切流
,
有序度
张孔辉
,
肖芝燕
,
张喜田
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.023
采用溶胶-凝胶方法制备纳米ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,薄膜具有六角纤锌矿多晶结构,且随水解时间的增加,粒子尺寸逐渐增大.室温下,观察到近带边紫外发射和较强的可见区(2.45eV)发射.红外吸收光谱研究表明ZnO薄膜表面存在单齿、双齿和桥状结构的醋酸锌副产物,阐述了不同结构醋酸锌副产物对ZnO薄膜可见区发光性质的影响.
关键词:
光致发光
,
醋酸锌副产物
,
溶胶-凝胶
,
纳米ZnO薄膜
