孙重清
,
邹德恕
,
顾晓玲
,
张剑铭
,
董立闽
,
宋颖娉
,
郭霞
,
高国
,
沈光地
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.024
GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用.制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高.通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性.
关键词:
光电子学
,
固态照明
,
环状N电极
,
总辐射功率
,
电流扩展
杨道虹
,
徐晨
,
董典红
,
金文贤
,
阳启明
,
张剑铭
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.020
运用Nd:YAG激光在功率300W、光束运动速度为0.05m/s、光束直径为700μm的条件下能得到键合强度平均为9.3MPa的硅/玻璃熔融键合效果.该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于键合过程中电场给超薄敏感可动微结构带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础.
关键词:
MEMS
,
Nd:YAG激光
,
硅/玻璃
,
键合
