卢红亮
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徐敏
,
张剑云
,
陈玮
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任杰
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张卫
,
王季陶
功能材料
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.
关键词:
原子层淀积(ALD)
,
金属氧化物薄膜
,
高k材料
丁士进
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王鹏飞
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张剑云
,
张卫
,
王季陶
,
张冶文
,
夏钟福
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.02.008
以Teflon AF 1600为原料,用旋涂法制备了非晶含氟聚合物(AF)薄膜通过扫描电镜(SEM)、傅立叶转换红外(FTIR)光谱和X射线光电子(XPS)光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征.所得薄膜具有无针孔,较光滑和平整的表面,300℃退火后薄膜表面的均匀性进一步改善.AF薄膜在300℃以下具有良好的热稳定性,在400℃退火后CF3吸收峰强度稍有降低.在400 ℃退火后,其所含的CF3键合构型显著降低,CF2、CF等其它构型没有明显的变化,由于CF3基剖的分解有少量无定型碳生成
关键词:
旋涂
,
AF薄膜
,
热稳定性
丁士进
,
张卫
,
王鹏飞
,
张剑云
,
刘志杰
,
王季陶
功能材料
综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料.
关键词:
含氟氧化硅
,
薄膜
,
低介电常数
,
化学气相淀积
万永中
,
张剑云
,
刘志杰
,
张卫
,
王季陶
材料研究学报
首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中变化.可能生长金刚石薄膜的碳氢纪组分被严格地限制在金刚石生长区内,并随生长温度和压力等条件而变化.当气相中氯含量与氢的含量相近时,金刚石生长区趋于消失金刚石生长区为实验提供了选择和优化碳氢级组分、生长温度及压力的理论依据.
关键词:
金刚石
,
film
,
thermodynamics
,
halogen
张剑云
,
王鹏飞
,
丁士进
,
张卫
,
王季陶
,
刘志杰
功能材料
用非平衡热力学耦合模型计算了CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2与CH3浓度之比[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜(111)面和(100)面取向生长与淀积条件的关系.在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中,[C2H2]/[CH3]逐渐升高,导致金刚石薄膜的形貌从(111)晶面转为(100)晶面.添加氧后C2H2与CH3浓度都将下降,但C2H2下降得更多,因而添加氧也使[C2H2]/[CH3]下降,从而有利于生长(111)晶面的金刚石薄膜.
关键词:
化学气相淀积
,
金刚石薄膜
,
热力学
