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ZnMgO/ZnO 异质结构中极化对二维电子气的影响?

周远明 , 田锋 , 钟才 , 梅菲 , 刘凌云 , 徐进霞 , 王远 , 张冉

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.030

基于 ZnMgO/ZnO 异质结构模型,从压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了 ZnMgO 势垒层的厚度、Mg 组分和应变弛豫度对 ZnMgO/ZnO 异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能带偏移对计算结果进行了分析讨论。结果表明通过改变 Mg 组分和应变弛豫度可以调节异质界面两边的极化强度不连续性,进而有效地调控异质结中的二维电子气。

关键词: ZnMgO/ZnO异质结 , 二维电子气 , 极化

调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气

周远明 , 钟才 , 梅菲 , 刘凌云 , 徐进霞 , 王远 , 张冉

材料导报

基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响.结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子,通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控异质结中的二维电子气.采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础.

关键词: ZnMgO/ZnO异质结 , 二维电子气 , 调制掺杂

In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

周远明 , 舒承志 , 梅菲 , 刘凌云 , 徐进霞 , 王远 , 张冉

材料导报

利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料.

关键词: 自旋电子学 , 自旋场效应晶体管 , 量子阱 , Rashba自旋-轨道耦合

N,O-羧甲基壳聚糖树脂的制备及其对重金属吸附性能研究

宋磊 , 党奇峰 , 刘成圣 , 于乐军 , 张冉 , 王玉杰 , 于德君

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.006

通过乳化交联法制备了一种新型的戊二醛交联N,O-羧甲基壳聚糖树脂,用SEM和FT-IR 对树脂的表面结构和化学结构进行表征。用树脂吸附水溶液中的Cu(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)和Cd(Ⅱ)等重金属离子,研究了不同pH 值、接触时间和初始浓度对吸附量的影响。当p H 值=5时,树脂对Cu(Ⅱ)的吸附量达到最大值;当p H 值=6时,对Pb(Ⅱ)和Cd(Ⅱ)的吸附量达到最大值。利用两种吸附等温线模型对数据进行拟合并对吸附动力学进行研究,实验数据对 Langmuir 等温线模型具有较高的拟合度,拟合后对 Cu(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)和Cd (Ⅱ)的最大吸附量分别为156.25、222.22和178.57mg/g,吸附过程符合拟二级反应动力学模型。

关键词: N,O-羧甲基壳聚糖 , 吸附 , Cu (Ⅱ) , Pb (Ⅱ) , Cd(Ⅱ)

基于OPERA/QUENCH的MRI超导对称与非对称磁体失超特性对比

张冉 , 杨立欣 , 陈凯 , 孔德平 , 朱贵友

低温物理学报

在MRI磁体的设计过程中,失超现象的研究对于超导磁体的安全运行具有重要的意义.本文采用三维有限元软件OPERA分别对1T对称磁体和非对称磁体的失超特性进行了仿真分析.详细介绍了仿真的建模过程和求解算法.NbTi超导材料的临界电流密度通过软件预设的查表变量实现设置.通过仿真分析,得到了两种磁体结构在失超过程中重要的物理量如超导线圈的电流、电阻的变化规律.三维仿真图形更有利于观察失超在不同方向的传播速度.通过比较得出结论,虽然对非称磁体的DSV比对称磁体要大,但在失超过程中,非对称磁体受到的破坏也比对称磁体要严重.

关键词: MRI超导磁体 , 失超特性 , 对称磁体 , 非对称磁体

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