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940nm高功率列阵半导体激光器

曲轶 , 薄报学 , 高欣 , 张宝顺 , 张兴德 , 石家纬

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.036

利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.

关键词: 分子束外延 , 阵 , 半导体激光器

LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

李忠辉 , 王向武 , 张宝顺 , 杨进华 , 张兴德

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024

设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.

关键词: 分别限制结构 , 单量子阱 , 激光器

第一性原理研究氧化锌晶体的电子结构和光学性质

应杏娟 , 张兴德 , 郝志武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.015

为了研究氧化锌晶体的光学性质,本文采用密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)下的平面波赝势法计算了氧化锌晶体的电子结构、复数折射率、介电函数、光电导谱和吸收光谱.介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等它们的峰值位置存在一一对应关系,这表明了它们之间存在着内在的联系,它们都与电子从价带到导带的跃迁吸收有关,这为从物理本质上理解氧化锌晶体的光学性质提供了重要的依据.计算结果与实验结果吻合得很好.

关键词: 氧化锌晶体 , 电子结构 , 光学性质 , 模拟计算

钼酸钙晶体中点缺陷的计算机模拟

张兴德 , 黄卫佳 , 杨齐

人工晶体学报

本文根据第一性原理计算了含电子型色心的钼酸钙晶体的电子结构,计算结果表明钼酸钙晶体中F心和F+心不会在可见光范围内引起吸收,而氧空位的存在使钼酸钙晶体呈现蓝色.

关键词: 钼酸钙晶体 , 色心 , 电子结构 , 模拟计算

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