张光晋
,
郭全贵
,
刘占军
,
刘朗
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2001.01.014
制备了Si、Ti双组元和Si、Ti、B4C三组元掺杂石墨材料并研究了其结构和性能．实验结果表明，与相同条件下制得的纯石墨材料相比，掺杂石墨材料具有高密度，高强度以及极低的电阻率等特点．双组元掺杂石墨的导电性略优于三组元掺杂石墨，但其机械强度却明显低于后者．分析表明：各组元在材料中所起的作用各不相同，钛、硼添加剂对材料的机械强度有增强作用，对材料的石墨化具有催化作用；少量硅的添加有利于石墨材料的石墨化程度以及导电性能的提高，但含量较多时，由于Si的大量逸失导致气孔率增大，使掺杂石墨的导电性及机械性能降低．
关键词:
多组元
,
微观结构
,
掺杂石墨
,
性能
张光晋
,
郭全贵
,
刘占军
,
刘朗
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2000.04.009
研究了不同钛掺杂量的再结晶石墨的电阻率与微观结构,以探讨掺杂组元对材料导电性能的影响.实验结果表明,与相同工艺条件下制得的纯石墨相比,掺钛石墨具有高密、高石墨化程度以及极低的电阻率的特点.微观结构分析表明,钛对材料的石墨化过程中具有催化作用,掺杂石墨材料中钛掺杂量对材料的石墨化程度有很大影响:少量钛掺杂量即可使材料达到高的石墨化程度,过多钛掺杂量不利于其电阻率的的降低.分析表明钛元素在材料中是以碳化钛形式存在,但在制备过程中,有少量钛逸失,从而在材料表面形成孔隙,而这些对材料的性能有不利的影响.
关键词:
电阻率
,
掺杂石墨
,
微观结构
