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共沉淀法制备纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3及其低场磁电阻性质

何伟 , 羊新胜 , 阚香 , 张元发 , 杨立芹 , 杨烨 , 赵勇

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.017

利用共沉淀法制备了纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3粉体,并研究了相应烧结陶瓷的相结构、显微形貌、电性质以及磁电阻效应.样品中存在高密的晶界,对电子的疏运过程产生明显的散射作用,从而使得样品具有较大的电阻值,并且只有当烧结温度大于800℃时才出现金属绝缘体温度相变.样品的磁电阻是低场磁电阻效应,源于晶界处电子的自旋极化隧穿.烧结温度越低的样品,其磁电阻越大.

关键词: 低场磁电阻 , 共沉淀 , 纳米

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