雷明凯
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袁力
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张仲麟
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马腾才
无机材料学报
采用等离子体源离子渗氮,即低能(1-3keV)、超大剂量(1019~1020ions.cm-2)氮离子注入-同步热扩散技术,在300~500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜.俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜.300℃渗氮的薄膜由sp~2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3和sp2型复合的微区组成.较高的渗氮工艺温度促进sP3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.
关键词:
等离子体源离子渗氮
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null
雷明凯
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朱雪梅
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袁力江
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张仲麟
金属学报
等离子体基低能离子注入是一种钢的低温, 低压表面改性方法, 它包括等离子体源离子渗氮和等离子体源离子渗碳两种工艺. 等离子体基低能离子注入的主要传质机制是低能离子注入-同步热扩散, 即在脉冲负偏压作用下的离子首先完成不依赖于工艺温度的低能离子注入, 然后已注入的原子在较低的工艺温度上发生足够的热扩散, 等离子体热扩散吸收具有补充的传质作用, 但由于工艺温度较低, 这种作用很小.
关键词:
离子注入
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null
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null
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null
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null
雷明凯
,
袁力江
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张仲麟
,
马腾才
无机材料学报
采用 X 射线光电子谱( X P S) 分析300 ~500℃ 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点, 研究 B、 C、 N 对薄膜的 X P S影响结果表明, X P S分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成, 但不能确定sp2 和sp3 型键合结构特性; X P S 分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性在较高的工艺温度下, 等离子体源离子渗氮合成的硼碳氮薄膜具有sp2 和sp3 型复合的键合结构
关键词:
硼碳氮薄膜
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null
,
null
雷明凯
,
袁力江
,
张仲麟
,
马腾才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.033
采用等离子体源离子渗氮,即低能(1~3 keV)、超大剂量(1019~1020ions.cm-2)氮离子注入--同步热扩散技术,在300~500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜. 俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜. 300℃渗氮的薄膜由sp2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3和sp2型复合的微区组成. 较高的渗氮工艺温度促进sp3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.
关键词:
等离子体源离子渗氮
,
硼碳氮薄膜