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GZO/Ag/GZO多层薄膜制备、结构与光电特性的研究

杨田林 , 张之圣 , 宋淑梅 , 辛艳青 , 姜丽莉 , 李延辉 , 韩圣浩

功能材料

采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga_2O_3简称GZO)多层薄膜.X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向.在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响.研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10~(-5)Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10~(-2)Ω~(-1).

关键词: GZO/Ag/GZO , 多层膜 , 溅射方法 , 透明导电膜

固相法合成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的研究

郭秀盈 , 肖谧 , 王洪儒 , 吴霞宛 , 张之圣

无机材料学报

以不同固相合成工艺制备了Ag(Nb0.8Ta0.2)O3粉末, 并对其压片烧结后样品的XRD和SEM图进行了分析, 对成瓷性较好的样品的介电性能进行了测试. 结果表明: 不同工艺均可合成具有钙钛矿结构的Ag(Nb0.8Ta0.2)O3(ANT)样品, 但对样品成瓷性影响很大. 通过先将Nb2O5、Ta2O5在1200℃煅烧, 然后再同Ag2O反应生成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的合成工艺, ?在较低的烧结温度下, 就可烧制成粒径均匀、致密的陶瓷, 相比其他工艺合成?的样品, 其介电常数(ε)得到了提高, 介电损耗(tanδ)变小, 为最佳合成工艺.

关键词: 钽铌酸银 , solid-state reaction methods , dielectric properties

真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究

吴淼 , 胡明 , 张之圣 , 刘志刚 , 温宇峰

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.01.004

以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TCR)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TCR绝对值减小.

关键词: V2O5 , 真空蒸发 , VOx薄膜 , 电阻温度系数

化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

胡明 , 田斌 , 王兴 , 张景阳 , 张之圣

功能材料

应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落.腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长.

关键词: 多孔硅 , 化学刻蚀 , 应力 , 微裂纹

提高电子陶瓷机械强度的实验研究

白花珍 , 张之圣

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.1999.03.013

根据实验研究和批量生产实测数据,指出通过改进配方、成型和烧结方法等,能有效地提高陶瓷材料机械强度.这不仅对生产装置瓷具有实际意义,而且对生产结构陶瓷和高压、大功率电子元件用陶瓷以及超大规模集成电路、微波元件基片等有着特殊的意义.

关键词: 抗弯强度 , 主晶相 , 玻璃相 , 烧结

绝缘基底上两步法聚合导电聚吡咯膜的研究

田斌 , 胡明 , 阎实 , 张之圣

高分子材料科学与工程

在绝缘性陶瓷基底上,运用先化学聚合、再以所得的聚吡咯(PPy)膜为电极进行电化学聚合的两步聚合法生成了电导率较高、活性高的PPy膜.SEM和电导率的测试结果表明电化学聚合过程中膜的厚度增加不明显,大部分电流基本上都用于化学聚合所得膜的修补和致密化,这可使膜的电导率提高10倍以上.FT-IR红外分析表明,所得的PPy膜并没有随聚合时间的延长而发生氧化,仍保持较高的化学活性.

关键词: 绝缘 , 化学聚合 , 电化学 , 聚吡咯 , 修补 , 电导率 , 红外光谱

射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究

毕振兴 , 张之圣 , 胡明 , 樊攀峰 , 刘志刚

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.002

在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料.

关键词: PZT , 直流对靶溅射 , 射频磁控溅射 , 锆钛酸铅薄膜 , 钙钛矿相 , 电滞回线

纳米Fe3O4颗粒及磁性液体的制备

王秀宇 , 杨桂琴 , 张之圣 , 严乐美 , 孟建华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.022

用低温相转化法制备了小粒径的Fe3O4纳米颗粒,用油酸对纳米颗粒进行了表面处理,溶液pH为6.90,80℃下恒温反应50~60min时磁性粉体颗粒的改性效果较好.然后将包覆颗粒分散到载液中制得磁性液体.实验中用XRD、TEM、VSM、IR光谱等对所制的样品进行了相应表征,并将UV光谱分析方法用于油酸包覆的定量评估,从而建立了磁性颗粒表面修饰的表征方法.

关键词: 低温相转化 , Fe3O4纳米粉体 , 表面活性剂 , 磁性液体

碳纳米管场发射性能的研究进展

邹强 , 张之圣 , 李海燕 , 胡明 , 秦玉香

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.032

碳纳米管是一种性能优良的场发射冷阴极材料,具有低的阈值电场和高的发射电流密度,在平板显示领域具有广阔的应用前景.本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发,阐述了CNT的场发射机制,详细论述了包括CNT的结构、方向性、阵列密度、吸附气体、工作环境等诸多因素对其场发射特性的影响.研究表明,垂直取向,长径比高,密度适中,表面洁净的CNT场增强因子较大,场发射性能较好.

关键词: 场发射 , 冷阴极 , 平板显示 , F-N理论 , 碳纳米管

碳纳米管的场致发射及在平板显示领域中的应用

秦玉香 , 胡明 , 李海燕 , 张之圣 , 邹强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00277

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度, 是一种性能优良的场发射阴极材料, 在平板显示领域具有潜在的应用价值. CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用. 本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发, 阐述了CNTs的场发射机制; 详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响; 介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用.

关键词: 碳纳米管 , field emission , Fowler-Nordheims model , flat panel display

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