马艺准
,
张崇宏
,
张子民
,
肖荣庆
,
宋银
,
杨义涛
,
张丽卿
,
孟彦成
,
张恒庆
,
缑洁
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.086
对PAN/PEO凝胶(5% PAN，5% PEO)在1.0 MeV电子束下进行了不同剂量的辐照。红外光谱测量表明，PAN/PEO凝胶辐照后发生了化学交联。分析结果指出，PAN/PEO的凝胶分数随着辐照剂量的增加而不断增加；其凝胶分数增长率的变化可以分为3个阶段，即快速增加阶段(0～39 kGy)、下降阶段(39～130 kGy)和稳定阶段(>130 kGy)。拟合发现，引入材料刚性参数β的半经验修正方程与未考虑材料刚性的Charlesby-Pinner方程相比，更符合实际测量值(对于该配比PAN/PEO，β为0.166)。交联度-辐照剂量曲线显示，交联度随辐照剂量的增加而增加，为设计新型能功能材料中所需的固定交联度的PAN/PEO凝胶提供了辐照剂量参考值。
关键词:
聚丙烯腈
,
聚氧化乙烯
,
电子束辐照
,
交联度
贾秀军
,
张崇宏
,
张丽卿
,
杨义涛
,
张勇
,
韩录会
,
徐超亮
,
张利民
原子核物理评论
分别进行了2.3 MeV20Ne8＋离子和5.0 MeV84Kr19＋离子辐照GaN样品的实验,并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现,随着这两种离子辐照剂量的增大,GaN的HRXRD谱（0002）衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动,并在较高剂量时衍射峰发生分裂。同时,对衍射峰的峰位的移动和峰形的变化等现象反映的辐照损伤机制进行了研究,并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。
关键词:
GaN
,
HRXRD
,
辐照损伤
刘娟
,
张崇宏
,
杨义涛
,
宋银
,
张丽卿
,
缑洁
,
咸永强
,
陈家超
,
Jinsung Jang
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.347
与传统的铁素体钢相比,氧化物弥散强化(ODS)的铁素体钢具有更优的耐高温和抗辐照性能,近年来成为先进核能装置重要的候选结构材料.在HIRFL的扇聚焦型回旋加速器(SFC)材料辐照终端,对一种氧化物弥散强化(ODS)铁素体钢MA956进行了高能Ne离子辐照实验,旨在研究级联碰撞损伤和惰性气体原子注入条件下该材料力学性能的变化.利用辐照终端的能量衰减装置将SFC出口123.4 MeV的离子能量分解为介于38.5～121.0 MeV之间的30个入射能量值,并通过双面辐照在厚度60 μm的样品中均匀产生了损伤.辐照剂量为9×1016 ions/cm2,在样品中的平均位移损伤为0.7 dpa,注入的Ne原子浓度为350 appm.辐照期间样品温度保持在440℃附近.对辐照前后的样品分别在室温和500℃下进行了小冲杆试验(Small-punchTest),获得了辐照前后样品的加载位移曲线,由此得到该辐照条件下样品的延性损失为18％～26％.通过扫描电子显微镜观察了断口形貌和厚度变化,估算了样品的等效断裂应变和断裂韧性.结果表明,MA956钢经过高能Ne离子辐照后等延伸率减小,断裂韧性降低,样品发生了一定的脆化.透射电镜结果说明氧化物弥散相界面处微空洞的形成可能是导致脆化的原因.
关键词:
ODS铁素体钢
,
高能重离子
,
辐照损伤
,
延伸率
,
断裂韧性
徐超亮
,
张崇宏
,
李炳生
,
张丽卿
,
杨义涛
,
韩录会
,
贾秀军
原子核物理评论
应用拉曼光谱研究了5 MeV Kr离子(注量分别为5×1013,2×1014,1×1015ions/cm2)室温注入6H-SiC单晶及其高温退火处理后结构的变化.研究表明,注入样品的拉曼光谱中不仅出现了Si-C振动的散射峰,还产生了同核Si-Si键和C-C键散射峰.Si-C散射峰强度随退火温度升高而增强,当退火温度高达1000℃时,已接近未辐照SiC的散射峰强度.晶体Si-Si键散射峰强度随退火温度变化不大,而非晶Si-Si键散射峰强度随退火温度的增加逐渐消失.相对拉曼强度(Relative Raman Intensity,简称RRI)随注量的增加逐渐减小并趋于饱和,且不同退火温度样品的饱和注量不相同;RRI随退火温度的增加逐渐升高,这在低注量样品中表现得尤为明显.低、中、高3种注量样品的RRI随退火温度的增加从重合逐渐分离,并且退火温度越高,分离越大.
关键词:
6H-SiC
,
离子注入
,
拉曼光谱
,
相对拉曼强度
付雪涛
,
马通达
,
王书明
,
张崇宏
,
张丽卿
,
王新强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.022
利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫.利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征.EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫.卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的电子辐照对GaN外延层引入更为严重的辐照损伤.上述实验结果表明,GaN外延层的应变弛豫与2 MeV的电子辐照引入的缺陷如弗伦克尔对有关.运用弹性原子链模型(EACM)对电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫机制进行了讨论.
关键词:
氮化镓异质结
,
应变弛豫
,
电子辐照
,
弹性原子链模型
杨义涛
,
张崇宏
,
周丽宏
,
李炳生
,
张丽卿
原子核物理评论
利用20 keV的He离子注入表面蒸镀了Au薄膜的尖晶石(MgAl_2O_4)样品,随后对注入样品进行了退火处理.在紫外可见光谱上观察到了由于金属纳米颗粒的存在而引起的较强的表面等离子体共振吸收峰,提供了材料中金属纳米颗粒形成的光谱证据.并对形成的Au纳米颗粒的尺寸随退火温度以及He注入剂量的变化进行了研究.
关键词:
离子注入
,
He
,
金属纳米颗粒
,
紫外可见光谱
