廖瑞金
,
陆云才
,
杨丽君
,
李剑
,
孙才新
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2006.06.015
利用分子动力学(MD)与密度泛函理论(DFT),建立聚合物电介质中空间电荷陷阱深度的计算模型,得出了聚乙烯分子的化学结构缺陷和过氧化二异丙苯(DCP)、α-甲基苯乙烯等杂质分子的空间电荷陷阱深度,并结合聚乙烯空间电荷陷阱能级的变化,分析了聚合物分子缺陷处空间电荷陷阱特性.模拟结果表明聚合物中苯环、羰基、醛基和共轭双键等化学键及键和链的作用是空间电荷陷阱存在的重要原因.其结果同现有的文献符合得比较好.
关键词:
聚合物
,
分子模拟
,
空间电荷
,
陷阱
,
密度泛函理论
赵学童
,
任路路
,
廖瑞金
,
李建英
,
王飞鹏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150184
采用固相法合成了CaCu3Ti4O12陶瓷,研究了氧化气氛热处理对其显微结构和介电性能的影响.结果表明,氧化气氛热处理后,CaCu3Ti4O12陶瓷的介电常数略微下降,介电损耗角正切值得到有效抑制,降至0.03～0.04.在183～273 K温度范围内,CaCu3Ti4O12陶瓷总的介电损耗可以分解成低频电导损耗和高频的两个弛豫损耗峰,氧化气氛热处理后低频电导损耗的贡献下降较为明显.对CaCu3Ti4Oi2陶瓷的晶粒、晶界进行阻抗分析,发现在393 K时晶界电阻值从1.8×104Ω增大到8.6×104 Ω.伏安特性(J-E)结果表明氧化气氛热处理使CaCu3Ti4O12陶瓷的击穿场强和非线性系数分别从226V/mm、3.52上升到397 V/mm、4.51,晶界势垒高度从0.56 eV增大到0.63 eV.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷
,
氧化气氛
,
介电性能
