袁剑峰
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
刘传珍
,
吴渊
,
廖燕平
,
王刚
,
邵喜斌
,
刘宏武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005
介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.
关键词:
a-Si
,
HTFT开关器件
,
有源层
,
栅绝缘层
,
界面特性
刘传珍
,
杨柏梁
,
张玉
,
李牧菊
,
吴渊
,
廖燕平
,
王大海
,
邱法斌
,
李轶华
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
关键词:
金属诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
退火
朱永福
,
李牧菊
,
杨柏梁
,
刘传珍
,
廖燕平
,
袁剑锋
,
刘雅言
,
申德振
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.008
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜.分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(Prf)的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、 NH和NH2基团的吸收峰强度的影响, 同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
非晶氮化硅薄膜
,
红外光谱
刘金娥
,
廖燕平
,
齐小薇
,
高文涛
,
荆海
,
付国柱
,
李世伟
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.
关键词:
OLED
,
阈值电压漂移
,
N/Si
,
C-V
,
2-a-Si:HTFT
杨澍
,
荆海
,
廖燕平
,
马仙梅
,
孔祥建
,
黄霞
,
付国柱
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.012
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器.实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一.文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法.对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向.
关键词:
电子纸
,
电子墨水
,
薄膜晶体管
,
柔性金属基板
,
激光释放塑基电子技术
,
激光退火表面释放技术
,
有机薄膜晶体管
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
刘传珍
,
袁剑峰
,
吴渊
,
廖燕平
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.007
建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.
关键词:
栅电极电阻
,
交叠电容
,
沟道电容
,
信号延迟
,
RC常数
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
袁剑峰
,
刘传珍
,
廖燕平
,
吴渊
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.007
用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.
关键词:
非晶硅
,
化学气相淀积
,
红外光谱
,
金相显微
邝俊峰
,
付国柱
,
高博
,
高文涛
,
黄金英
,
廖燕平
,
荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势.通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si-Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度.
关键词:
多晶硅薄膜
,
氢原子
,
催化化学气相沉积
廖燕平
,
邵喜斌
,
吴渊
,
骆文生
,
付国柱
,
荆海
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.010
提出了一种新的晶化方法--金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA).该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si.通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征.研究发现,MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高.这个结果源于用MIC方法形成的且与c-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用.这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介.这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽.
关键词:
多晶硅薄膜
,
金属诱导-准分子激光晶化
,
NiSi2
张玉
,
荆海
,
付国柱
,
高博
,
廖燕平
,
李世伟
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008
采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si-Si键,保留与晶体硅匹配的Si-Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长.经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80 nm.而传统方法连续生长20 min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰.结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率.
关键词:
催化化学气相沉积法
,
多晶硅薄膜
,
非晶硅孕育层
,
氢原子刻蚀
,
晶核
,
晶化速率
