杨利
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张国艳
,
周毅
,
廖怀林
,
黄如
,
张兴
,
王阳元
稀有金属材料与工程
采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅.氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液.通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系.通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30 mA/cm2～50 mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件.
关键词:
二甲基甲酰胺
,
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
阳极电流密度
杨利
,
周毅
,
张国艳
,
廖怀林
,
黄如
,
张兴
,
王阳元
稀有金属材料与工程
介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术.ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能.采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性.ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析.通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系.
关键词:
多孔硅
,
射频集成电感
,
电化学腐蚀
,
后处理工艺
