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石墨烯衍生材料在忆阻器中的应用

康越 , 楚增勇 , 张东玖 , 张朝阳

材料导报

基于目前石墨烯在忆阻器中应用的最新研究进展,从石墨烯类忆阻器的基本结构出发,评述了石墨、氧化石墨烯、石墨烯在忆阻器中的应用方式,分析了石墨烯类阻变材料的阻变特性、阻变机理及界面势垒调节和电荷陷阱充放电两种模型,最后介绍了目前石墨烯衍生忆阻装置亟待解决的问题和发展方向.

关键词: 石墨烯 , 氧化石墨烯 , 忆阻器

六方硼碳氮制备方法的研究进展?

康越 , 原博 , 马天 , 楚增勇 , 黄献聪

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.015.009

B-C-N 材料的提出是由于氮化硼和碳材料具有特殊的优异性能,通过对不同结构 B-C-N 材料的研究发现,组成结构的差异导致其物理化学性能发生很大变化。其中,h-BCN 由于其禁带宽度和半导体特性可调而尤为引人关注。h-BCN 有平面和层状两种结构,基于目前两种结构的 h-BCN 制备方法的最新研究进展,简述了材料的结构、生长机理、性质和应用前景,分析了反应原料、温度和时间对 h-BCN 形成的影响,最后介绍了 h-BCN 亟待解决的问题和发展方向。

关键词: h-BCN 石墨烯 , 层状结构 , 平面结构

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