刘贤文
,
李曹
,
庞忠群
,
顾宜
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.02.003
采用两步法和一步法涂膜热酰亚胺化工艺分别制备了S.BPDA/ODA的聚酰亚胺(PI)薄膜.偏光观察发现,一步法制备的薄膜经过250℃以上的温度处理后出现明显的微晶结构,在相同的酰亚胺工艺条件下两步法制备的薄膜没有出现微晶结构.DMA测试表明,一步法与两步法制备的薄膜Tg分别为294℃和276℃;相比两步法,一步法制备的薄膜具有更佳的力学和热稳定性能.分析认为,微晶结构的交联作用和高酰亚胺化程度使一步法制备的薄膜具有更佳的性能.
关键词:
3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐
,
聚酰亚胺
,
薄膜
,
聚集态结构
,
性能
