周红
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应鹏展
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崔教林
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王晶
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高榆岚
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李亚鹏
,
李奕沄
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1,而电导率则随温度迅速增大.在818 K时,其电导率达到最大值2.92× 103 Ω-1·m-1,热导率为0.50 W.K-1·m-1,最高热电优值ZT值达到0.33.
关键词:
CuIn5Se8
,
宽带隙半导体
,
热电性能
张晓军
,
应鹏展
,
崔教林
,
付红
,
颜艳明
材料科学与工程学报
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9 Ga 2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9 Sb2),并分析研究其热电性能.结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高.在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍.
关键词:
GaSb基半导体
,
放电等离子烧结
,
热电性能
付红
,
应鹏展
,
崔教林
,
张晓军
,
颜艳明
稀有金属材料与工程
采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试.通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te.在整个测试温度(319～549 K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低.由于具有相对较低的热导率和较高的电导率,Ga2SnTe5在549 K时取得了最高ZT值0.16.
关键词:
热电性能
,
Ga2Te5基化合物
,
放电等离子烧结
付红
,
应鹏展
,
崔教林
,
颜艳明
,
张晓军
稀有金属材料与工程
本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能.结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130～240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600～1740Ω-1·m-1,至少是单晶Ga2Te3的17倍,热导率提高近25%.在649K时Ga1.9Sb0.1Te3合金的热电优值(ZT)达到最大值0.1,是同温度下单晶Ga2Te3ZT值的3倍.
关键词:
Ga1.9Sb0.1Te3
,
微结构
,
热电性能
付红
,
应鹏展
,
颜艳明
,
张晓军
,
高榆岚
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.02.002
AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用.通过放电等离子烧结技术制备(AgSbTe2)0.405(Sb2-xCuxTe3)0.064(x=0,0.025,0.05,0.1,0.2)5种合金,观察其微观结构,并研究316-548 K温度区间内电学性能的变化.结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相.掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显.
关键词:
AgSbTe合金
,
掺杂Cu
,
微观结构
,
电学性能
陈善亮
,
应鹏展
,
顾修全
,
张伦
电镀与涂饰
以导电玻璃为阴极,在不同pH下,从含有0.083 mol/LCu(CH3COO)2·H2O、0.22 mol/L乳酸的电解液中电沉积合成Cu2O薄膜.研究了电解液pH对Cu2O薄膜晶体择优取向和形貌的影响.结果表明,通过调节电解液pH可合成不同择优取向和形貌的Cu2O薄膜,在pH为7～13内合成的Cu2O薄膜均具有较好的光吸收性.pH=11时,可制得具有(111)取向、结合力强、光催化活性高和稳定性好的Cu2O薄膜.Cu2O薄膜的晶面类型对薄膜催化能力有较大影响,(111)择优取向的Cu2O薄膜的光催化活性最高,反应2.5 h后罗丹明B的降解率可达63％.
关键词:
氧化亚铜
,
电沉积
,
罗丹明B
,
光催化
,
择优取向
修伟杰
,
应鹏展
,
崔教林
,
薛海峰
稀有金属材料与工程
采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能.结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005～0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|a|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降.如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0～0.4)设计的材料热扩散系数进行估算,当温度在477.0 K时,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.04)的ZT值出现最大值,其值为0.75,比典型三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约0.09.
关键词:
四元n-型Ag-Bi-Se-Te合金
,
Ag掺杂
,
放电等离子烧结(SPS)
,
电学性能
应鹏展
,
陈东勇
,
崔教林
,
于磊
,
鲍宇峰
稀有金属材料与工程
采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了AgSb1-xGaxTe2 (x=0～0.2),并研究其微结构和热电性能.结果表明:AgSb1-xGaxTe2具有与AgSbTe2相同的晶体结构,并形成了第二相AgGaTe2;掺Ga后,合金的Seebeck系数高于未掺Ga的参照样品AgSbTe2,热导率也低于AgSbTe2;在375 K时,摩尔分数x为0.1的合金AgSb0.9Ga0.1Te2的最大ZT值达到0.29,比AgSbTe2约高0.08.
关键词:
放电等离子烧结(SPS)
,
AgSb1-xGaxTe2
,
微结构
,
热电性能
颜艳明
,
应鹏展
,
崔教林
,
付红
,
张晓军
材料科学与工程学报
InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能.本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320 K到706 K的温度范围内测量其热电性能.显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符.性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W·m~(-1)·K~(-1))降低到2.4(W·m~(-1)·K~(-1)),在热传输过程中起主要作用.在708 K时In_(10)Sb_(10)Ge合金的最高ZT值为0.18.
关键词:
热电性能
,
In_(10)Sb_(10)Ge三元合金
,
放电等离子烧结
应鹏展
,
罗勇
,
贾良菊
,
倪自峰
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2005.04.006
采用聚氧乙烯醚,通过酯化反应合成高沸点、化学性质稳定的分散剂.实验选用聚氧乙烯醚和丁酸,系统地研究了不同的物质的量的比例、温度、催化剂含量和反应时间对酯化反应的影响.研究表明:当醇与酸物质的量的比为1:1.2,反应温度为120℃,催化剂含量为聚氧乙烯醚质量的0.1%,反应时间为5 h,得到的酯化率为85%.
关键词:
聚氧乙烯醚
,
分散剂
,
催化剂
,
聚氧乙烯丁酸酯
,
酯化反应
