刘华瑞
,
任天令
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曲炳郡
,
刘理天
,
库万军
,
李伟
,
杨芝茵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.009
通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(103/4π)A/m.研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响.结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小.利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(103/4π)A/m上升到600×(103/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大.研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响.
关键词:
自旋阀
,
巨磁电阻
,
矫顽力
曲炳郡
,
任天令
,
刘华瑞
,
刘理天
,
李志坚
,
库万军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.014
对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro-chloro-fluoro-carbon),气体流量为10.5sccm,RF功率为180W,时间为27min.结果表明:RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形,且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大,这些结果对于巨磁电阻自旋阀型集成磁传感器的批量制作具有积极意义.
关键词:
巨磁电阻
,
RIE
,
自旋阀
刘华瑞
,
任天令
,
曲炳郡
,
刘理天
,
库万军
,
李伟
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2003.06.005
通过直流磁控溅射法在硅/二氧化硅基底上沉积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况,及自旋阀的磁性能,结果表明,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的关系,在Ta缓冲层为3nm时自旋阀的磁电阻率(9.24%)和交换场(255×(103/4π)A/m)达到最大值,而矫顽力(2.43×(103/4π)A/m)比较小.
关键词:
巨磁电阻
,
自旋阀
,
Ta缓冲层
