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不锈钢衬底MgB2厚膜韧性的研究

陈莉萍 , 丁莉莉 , 庄承钢 , 张开诚 , 陈晋平 , 徐军 , 安玲 , 闫昌硕 , 熊光成 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.007

我们用混和物理化学气相沉积法(HPCVD)在不锈钢衬底上原位制备了以MgB2厚膜(约10微米厚)为过渡层的MgB2超导厚膜(约20微米厚)样品,两层膜总厚约30微米.X光衍射实验表明过渡层为(101)取向的织构膜,表层MgB2超导厚膜接近多晶膜,但有较强(101)取向,两者均含有少量的Mg和MgO杂相.此超导厚膜样品的Tc(onset)=37.8K,Tc(zero)=36.6K,ΔT=1.2K.对此样品的弯曲实验表明,以曲率半径500微米弯曲到180°后,样品仍具有Tc(onset)=37.8K,Tc(zero)=36.4K的超导电性.样品剖面SEM观测表明该膜结构致密,表面厚膜层和过渡层之间连接紧密.样品表面的SEM观测表明虽然样品弯曲导致表面MgB2超导厚膜面出现了裂缝,甚至有小部分膜面的脱落,但过渡层始终紧紧附着在不锈钢衬底上.这表明过渡层MgB2厚膜的存在大大地提高样品整体的柔韧性,展现了不锈钢衬底上的MgB2厚膜超导带(线)巨大的开发潜力和诱人的广阔应用前景.

关键词: 混合物理化学气相沉积(HPCVD) , MgB2超导厚膜 , 过渡层 , 不锈钢衬底 , 韧度

混合物理化学气相沉积法制备Al2O3衬底MgB2薄膜性质的研究

丁莉莉 , 姚丹 , 陈莉萍 , 庄承钢 , 张开诚 , 陈晋平 , 熊光成 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.101

我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起始转变温度Tc(onset)=40.3K,转变宽度ΔT为0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩余电阻比率RRR=R300K/R50K=10.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜具有较好的c轴取向,晶粒大小约200nm.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁场下测得R~T曲线可以外推得到Hc2(0K)约10T.这些结果表明HPCVD技术在MgB2薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.

关键词: MgB2薄膜 , X-光衍射图 , SEM图 , R~T曲线 , M~H曲线

混合物理化学气相沉积法制备不锈钢衬底MgB2超导厚膜样品的韧度研究

庄承钢 , 安玲 , 陈莉萍 , 丁莉莉 , 张开诚 , 陈晋平 , 徐军 , 冯庆荣 , 甘子钊

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.002

我们用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备了一批不锈钢衬底的MgB2超导厚膜样品,厚度在10~30μm间,Tc(onset)是37.8~37.2K,超导转变宽度ΔT在1.2K左右,是(101)方向织构的致密厚膜,并有少许MgO杂相.对样品进行弯折研究,随着弯曲角度的增加,膜面出现不同程度的条状裂纹,但仍能保持膜面的基本完整;虽然样品的超导起始转变温度降低、转变温区变宽,性能有所下降,但超导特性仍能保持在一个很好的水平上.这个结果表明了采用HPCVD方法制备不锈钢衬底带材将会很好地克服MgB2超导膜由于硬脆的性质而无法绕制磁体的问题,有着十分重要的应用意义.

关键词: 混合物理化学气相沉积(HPCVD),MgB2超导厚膜,不锈钢衬底,韧度

Al2O3衬底上生长的40.2K转变温度的MgB2厚膜

张开成 , 丁莉莉 , 庄承钢 , 陈莉萍 , 陈晋平 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.023

我们采用混合物理化学气象沉积方法(简称HPCVD)方法在(0001)晶向的Al 2O 3衬底上成功的沉积了1.3微米厚的MgB 2超导厚膜.电性测量表明这种厚膜具有40.2 K的超导转变温度,转变宽度为0.15 K,绝对零度时 H c 2(0)为13.7 T,同时剩余电阻率达到RRR = 11.磁性测量表明这种厚膜在5 K和零场的条件下具有5×10 6A/cm 3的高临界电流密度.

关键词: MgB2超导厚膜 , R~T曲线 , SEM图 , M~T曲线

离轴生长的MgB2超导薄膜的研究

谭腾 , 冯思敏 , 庄承钢 , 冯庆荣

低温物理学报

通过混合物理化学沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),我们在多种单晶衬底上制备出了MgB2超导薄膜,经测量发现MgBz薄膜在6H-SiC、c-Al2O3、MgO(111)和YSZ(111)衬底上基本是沿c轴外延生长的,形成单晶薄膜;在MgO(211)、MgO(100)和钇稳定氧化锆(YSZ)(110)衬底上,MgB2晶粒的生长表现出明显的择优取向生长方式,并与晶格常数匹配关系所预言的结果一致.

关键词: 不同单晶衬底MgB2薄膜 , 混合物理化学沉积法 , 晶格常数

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