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氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线

杨兆柱 , 薛成山 , 庄慧照 , 王公堂 , 陈金华 , 李红 , 秦丽霞 , 王邹平

稀有金属材料与工程

氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20~60 nm左右,长度达到十几微米.高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明,制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构.光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性.另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制.

关键词: 磁控溅射 , 氮化镓 , 纳米线 , 光致发光

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